Продукт турында мәгълүмат һәм консультация өчен безнең сайтка рәхим итегез.
Безнең сайт:https://www.vet-china.com/
Поли һәм SiO2:
Моннан соң, артык Poly һәм SiO2 юкка чыгарыла, ягъни бетерелә. Бу вакытта юнәлешлеэфиркулланыла. Эшләү классификациясендә юнәлешле эфир һәм юнәлешсез эфирлау классификациясе бар. Ectionнәлешле эфир дигән сүзэфирбилгеле бер юнәлештә, юнәлешсез эфир юнәлешсез булса да (мин очраклы рәвештә артык күп әйттем. Кыскасы, билгеле бер юнәлештә SiO2-ны билгеле кислоталар һәм нигезләр аша чыгару). Бу мисалда без SiO2-ны бетерү өчен түбән юнәлешле эфир кулланабыз, һәм ул шулай була.
Ниһаять, фоторесистны алып ташлагыз. Бу вакытта фоторесистны бетерү ысулы - югарыда телгә алынган яктылык нурлары аша активлаштыру түгел, ә башка ысуллар ярдәмендә, чөнки бу вакытта билгеле бер зурлыкны билгеләргә кирәк түгел, ә барлык фоторесистны бетерергә. Ниһаять, ул түбәндәге рәсемдә күрсәтелгәнчә була.
Шул рәвешле, без Poly SiO2 конкрет урынын саклап калу максатына ирештек.
Чыганак һәм дренаж формалашуы:
Ниһаять, әйдәгез чыганак һәм дренажның ничек барлыкка килүен карап чыгыйк. Соңгы санда бу турыда сөйләшкәнебезне барысы да хәтерли. Чыганак һәм дренаж бер үк төр элементлар белән ион белән урнаштырылган. Бу вакытта без фоторесист куллана алабыз, N тибын урнаштырырга кирәк булган чыганак / дренаж мәйданын ачу өчен. Без NMOSны мисал итеп алганга, югарыдагы рәсемдәге барлык өлешләр ачылачак, түбәндәге рәсемдә күрсәтелгәнчә.
Фоторезист белән капланган өлешне урнаштырып булмый (яктылык блокланган), N тибындагы элементлар кирәкле NMOSга гына урнаштырылачак. Поли астындагы субстрат поли һәм SiO2 белән блокланганлыктан, ул имплантацияләнмәячәк, шуңа күрә ул шулай була.
Бу вакытта гади MOS моделе эшләнде. Теория буенча, чыганакка, дренаж, поли һәм субстратка көчәнеш кушылса, бу MOS эшли ала, ләкин без тикшерү үткәреп, чыганакка көчәнеш кертә алмыйбыз. Бу вакытта MOS чыбыклары кирәк, ягъни бу MOSда, күп MOSны бергә тоташтыру өчен чыбыкларны тоташтырыгыз. Әйдәгез чыбык процессына күз салыйк.
VIA ясау:
Беренче адым - түбәндәге рәсемдә күрсәтелгәнчә, бөтен MOSны SiO2 катламы белән каплау:
Әлбәттә, бу SiO2 CVD тарафыннан җитештерелә, чөнки ул бик тиз һәм вакытны саклый. Түбәндә әле фоторесист кую һәм фаш итү процессы бар. Ахырдан, бу шулай.
Аннары астагы рәсемнең соры өлешендә күрсәтелгәнчә, SiO2 тишек чыгару өчен эфирлау ысулын кулланыгыз. Бу тишекнең тирәнлеге Si өслегенә турыдан-туры кагыла.
Ниһаять, фоторесистны алып, түбәндәге күренешне алыгыз.
Бу вакытта нәрсә эшләргә кирәк - үткәргечне бу тишеккә тутыру. Бу үткәргеч нәрсә ул? Eachәрбер компания төрле, аларның күбесе вольфрам эретмәләре, бу тишекне ничек тутырырга? PVD (Физик парны чүпләү) ысулы кулланыла, һәм принцип астагы рәсемгә охшаган.
Максатлы материалны бомбардировать итү өчен югары энергияле электроннарны яки ионнарны кулланыгыз, һәм ватылган максат материалы атом формасында төбенә төшәчәк, шулай итеп астагы каплау формалаштырыла. Без гадәттә яңалыкларда күргән максатлы материал мондагы максат материалына карый.
Тишек тутырганнан соң, ул шулай.
Әлбәттә, без аны тутырганда, каплау калынлыгын тишек тирәнлегенә тигез итеп контрольдә тотып булмый, шуңа күрә артык булыр, шуңа күрә без CMP (Химик механик полировка) технологиясен кулланабыз, бу бик яңгырый. югары очлы, ләкин ул чыннан да тарттыра, артык өлешләрен тарта. Нәтиҗә шундый.
Бу вакытта без катлам җитештерүне тәмамладык. Әлбәттә, җитештерү, нигездә, арттагы металл катлам чыбыклары өчен.
Металл катлам җитештерү:
Aboveгарыдагы шартларда без тагын бер кат металл катламы өчен PVD кулланабыз. Бу металл, нигездә, бакыр нигезендәге эретмә.
Аннары экспозиция һәм эфирдан соң без теләгәнне алабыз. Аннары безнең ихтыяҗларыбызны канәгатьләндергәнче туплауны дәвам итегез.
Таблицаны сызганда, без сезгә ничә металл катлам һәм кулланылган процесс ярдәмендә күпчелекне тупларга мөмкинлеген әйтербез, димәк, ул күпме катлам булырга мөмкин.
Ниһаять, без бу структураны алабыз. Topгары такта - бу чипның пины, һәм пакеттан соң ул без күрә торган пинга әйләнә (әлбәттә, мин аны очраклы рәвештә сыздым, практик мәгънә юк, мәсәлән).
Бу чип ясауның гомуми процессы. Бу санда без ярымүткәргеч фабрикасында иң мөһим экспозиция, эфир, ион имплантациясе, мич торбалары, CVD, PVD, CMP һ.б. турында белдек.
Пост вакыты: 23-2024 август