Conductткәргеч SiC субстратларын әкренләп массакүләм җитештерү белән, процессның тотрыклылыгы һәм кабатлануы өчен югары таләпләр куела. Аерым алганда, җитешсезлекләрне контрольдә тоту, мичтә җылылык кырының кечкенә көйләнеше яки дрифты кристалл үзгәрүенә яки кимчелекләрнең артуына китерәчәк. Соңгы чорда безгә "тиз, озын һәм калын үсү, үсү" проблемасы белән очрашырга туры килә, теорияне һәм инженерияне камилләштерүгә өстәп, безгә таяныч буларак алдынгы җылылык кыры материаллары кирәк. Алга киткән материалларны кулланыгыз, алдынгы кристаллларны үстерегез.
Кайнар кырда графит, күзәнәк графит, тантал карбид порошогы кебек мөһим материалларны дөрес кулланмау углерод кертү арту кебек кимчелекләргә китерәчәк. Моннан тыш, кайбер кушымталарда күзәнәк графитның үткәрүчәнлеге җитәрлек түгел, һәм үткәрүчәнлеген арттыру өчен өстәмә тишекләр кирәк. Highгары үткәрүчәнлеге булган күзәнәкле графит эшкәртү, порошокны чыгару, эфирлау һ.б. проблемалар белән очраша.
VET яңа буын SiC кристаллының үсә торган җылылык кыры материалы, күзәнәк тантал карбидын тәкъдим итә. Дөньяда дебют.
Тантал карбидының көче һәм катылыгы бик югары, һәм аны күзәнәкле итү авыр. Зур күзәнәкле һәм югары чисталыклы күзәнәк танталь карбид ясау - зур кыенлык. Hengpu Technology зур күзәнәкле, максималь порошитлыгы 75% булган дөньяны әйдәп баручы танталь карбидын ачты.
Газ фазасы компонентларын фильтрлау, җирле температура градиентын көйләү, материаль агым юнәлеше, агып чыгу контроле һ.б. кулланылырга мөмкин. Аны Хенгпу Технологиясеннән тагын бер каты тантал карбид (компакт) яки тантал карбид каплавы белән кулланырга мөмкин, төрле агым үткәргечле җирле компонентлар формалаштыру өчен.
Кайбер компонентларны кабат кулланырга мөмкин.
Пост вакыты: 14-2023 июль