Заманча C, N, B һәм башка оксид булмаган югары технологияле отрядлы чимал, атмосфера басымы синтерланган кремний карбид киң, икътисадый, эмир яки отрядлы ком дип әйтергә мөмкин. Чиста кремний карбид төссез үтә күренмәле кристалл. Алайса, кремний карбидының матди төзелеше һәм үзенчәлекләре нинди?
Атмосфера басымы астында синтерик кремний карбид
Атмосфера басымының синтрик кремний карбидының материаль төзелеше:
Сәнәгатьтә кулланылган атмосфера басымы синтерланган кремний карбид пычракларның төре һәм эчтәлеге буенча ачык сары, яшел, зәңгәрсу һәм кара, чисталыгы төрле, ачыклыгы башка. Кремний карбид кристалл структурасы алты сүзле яки бриллиант формасындагы плутоний һәм куб плутоний-сикка бүленә. Плутоний-крик кристалл структурасында углерод һәм кремний атомнарының төрле төрләнеше аркасында төрле деформация формалаштыра, һәм 70 дән артык деформация табылды. бета-СИС 2100-дән югары Альфа-СИСка әйләнә. Кремний карбидының сәнәгать процессы югары сыйфатлы кварц комы һәм каршылык мичендә нефть кокы белән чистартыла. Чистартылган кремний карбид блоклары җимерелә, кислота нигезендә чистарту, магнит аеру, скринка яки су сайлау төрле кисәкчәләр продуктлары җитештерү өчен.
Атмосфера басымының материк характеристикалары синтерланган кремний карбид:
Кремний карбидының яхшы химик тотрыклылыгы, җылылык үткәрүчәнлеге, җылылык киңәю коэффициенты, киемгә каршы торуы бар, шуңа күрә абразив кулланудан тыш, күп куллану бар: Мәсәлән, кремний карбид порошогы турбина импеллеры яки цилиндр блокның эчке диварында капланган. киемгә каршы торуны яхшырта һәм гомерен 1 - 2 тапкыр озайта ала торган махсус процесс. Heatылылыкка чыдам, кечкенә зурлык, җиңел авырлык, югары класслы отряд материалларының югары көче, энергия эффективлыгы бик яхшы. Түбән класслы кремний карбид (якынча 85% SiC да кертеп) корыч җитештерү тизлеген арттыру һәм корыч сыйфатын яхшырту өчен химик составны җиңел контрольдә тоту өчен искиткеч дезоксидизатор. Моннан тыш, атмосфера басымы синтерланган кремний карбид кремний углерод чыбыкларының электр өлешләрен җитештерүдә дә киң кулланыла.
Кремний карбид бик каты. Морсе катылыгы 9,5, дөньядагы каты бриллианттан кала (10), җылылык үткәрүчәнлеге булган ярымүткәргеч, югары температурада оксидлашуга каршы тора ала. Кремний карбидының ким дигәндә 70 кристалл төре бар. Плутоний-кремний карбид - киң таралган изомер, ул 2000-дән югары температурада барлыкка килә һәм алты почмаклы кристалл структурасына ия (вурцитка охшаган). Атмосфера басымы астында синтерик кремний карбид
Кремний карбидын ярымүткәргеч тармагында куллану
Кремний карбид ярымүткәргеч сәнәгате чылбырына, нигездә, кремний карбид югары чисталык порошогы, бер кристалл субстрат, эпитаксиаль таблица, көч компонентлары, модуль упаковкасы һәм терминал кушымталары керә.
1. Бер кристалл субстрат Бер кристалл субстрат - ярымүткәргеч, материал, үткәргеч материал һәм эпитаксиаль үсеш субстраты. Хәзерге вакытта SiC бер кристаллның үсеш ысулларына физик парларны күчерү ысулы (PVT методы), сыек фаза ысулы (LPE методы) һәм югары температуралы химик пар парлау ысулы (HTCVD ысулы) керә. Атмосфера басымы астында синтерик кремний карбид
2. Практик кулланмаларда киң үткәргеч ярымүткәргеч җайланмалар барысы да диярлек эпитаксиаль катламда җитештерелә, һәм кремний чип үзе субстрат буларак кулланыла, GaN эпитаксиаль катлам субстратын да кертеп.
3. Purгары чисталыклы кремний карбид порошогы Pгары чисталык кремний карбид порошогы - PVT ысулы белән кремний карбид бер кристаллының үсүе өчен чимал, һәм продуктның чисталыгы кремний карбид бер кристаллның үсеш сыйфаты һәм электр характеристикасына турыдан-туры тәэсир итә.
4. Энергия җайланмасы - кремний карбид материалыннан эшләнгән киң полосалы көч, ул югары температура, югары ешлык һәм югары эффективлык үзенчәлекләренә ия. Theайланманың эш формасы буенча, SiC электр белән тәэмин итү җайланмасына, нигездә, электр диоды һәм электр күчергеч трубасы керә.
5. Терминал Өченче буын ярымүткәргеч кушымталарында кремний карбид ярымүткәргечләр галий нитрид ярымүткәргечләрен тулыландыру өстенлегенә ия. Conversгары конверсия эффективлыгы, түбән җылыту характеристикалары, җиңел һәм SiC җайланмаларының башка өстенлекләре аркасында, агымдагы индустриягә сорау арта бара, һәм SiO2 җайланмаларын алыштыру тенденциясе бар.
Пост вакыты: 16-2023 июнь