1. Гомуми күзәтүкремний карбид субстратэшкәртү технологиясе
Токкремний карбид субстрат эшкәртү адымнары үз эченә ала: тышкы түгәрәкне тарту, кисү, кыскарту, тарту, бизәү, чистарту һ.б. Кисү ярымүткәргеч субстрат эшкәртүдә мөһим адым һәм инготны субстратка әйләндерүдә төп адым. Хәзерге вакыттакремний карбид субстратларынигездә чыбык кисү. Күп чыбыклы пычрак кисү хәзерге вакытта иң яхшы чыбык кисү ысулы, ләкин начар кисү сыйфаты һәм зур кисү югалту проблемалары бар. Тимер чыбыкны югалту субстрат зурлыгының артуы белән артачак, бу аңа ярдәм итмикремний карбид субстратҗитештерүчеләр чыгымнарны киметүгә һәм эффективлыкны күтәрүгә ирешәләр. Кисү процессында8 дюймлы кремний карбид субстратлар, чыбык кисү белән алынган субстратның өслек формасы начар, һәм WARP һәм BOW кебек сан характеристикалары яхшы түгел.
Кисү - ярымүткәргеч субстрат җитештерүдә төп адым. Тармак гел бриллиант чыбык кисү һәм лазер кисү кебек яңа кисү ысулларын сынап карый. Күптән түгел лазерны чистарту технологиясе бик эзләнде. Бу технологияне кертү кисүне югалтуны киметә һәм техник принциптан кисү нәтиҗәлелеген күтәрә. Лазерны чистарту чишелеше автоматлаштыру дәрәҗәсенә бик зур таләпләргә ия һәм кремний карбид субстрат эшкәртүнең киләчәк үсеш юнәлешенә туры килгән, аның белән хезмәттәшлек итү өчен нечкә технология таләп итә. Традицион миномет чыбыкларын кисүнең уңыш күләме гадәттә 1,5-1,6. Лазер сызу технологиясен кертү кисәкнең уңышын якынча 2,0 гә кадәр арттырырга мөмкин (DISCO җиһазларына карагыз). Киләчәктә, лазерны чистарту технологиясенең өлгергән саен, кисәкнең уңышы тагын да яхшырырга мөмкин; шул ук вакытта, лазер сызу шулай ук кисүнең эффективлыгын яхшырта ала. Базар тикшеренүләре күрсәткәнчә, тармак лидеры DISCO 10-15 минут эчендә бер кисәкне кисә, бу хәзерге миномет чыбыкларын кисүдән 60 минутка караганда күпкә эффективрак.
Кремний карбид субстратларын традицион чыбык кисү процесс адымнары: чыбык кисү-тупас тарту-нечкә тарту-тупас полировка һәм нечкә бизәү. Лазерны чистарту процессы чыбык кисүне алыштырганнан соң, нечкә процесс тарту процессын алыштыру өчен кулланыла, бу кисәкләрнең югалуын киметә һәм эшкәртү нәтиҗәлелеген күтәрә. Кремний карбид субстратларын кисү, тарту һәм полировкалау процессы өч этапка бүленә: лазер өслеген сканерлау-субстрат стрип-ингот тигезләү: лазер өслеген сканерлау ультрафаст лазер импульсларын ингот өслеген эшкәртү өчен үзгәртелгән. кертү эчендә катлам; субстратны сызу - үзгәртелгән катлам өстендәге субстратны физик ысуллар белән инготтан аеру; ингот тигезләү - ингот өслегенең тигезлеген тәэмин итү өчен, ингот өслегендә үзгәртелгән катламны чыгару.
Кремний карбид лазерын чистарту процессы
2. Лазер сызу технологиясендә һәм сәнәгатьтә катнашучы компанияләрдә халыкара алгарыш
Лазерны чистарту процессы беренче тапкыр чит ил компанияләре тарафыннан кабул ителде: 2016-нчы елда Япониянең DISCO яңа лазер кисү технологиясен эшләде, ул аеру катламын формалаштыра һәм ваферларны билгеле тирәнлектә аера, инготны лазер белән өзлексез нурландырып, төрле өчен кулланыла ала. SiC ингот төрләре. 2018 елның ноябрендә Infineon Technologies Siltectra GmbH, вафер кисүне башлап, 124 миллион еврога сатып алды. Соңгысы салкын бүлү процессын эшләде, ул патентланган лазер технологиясен куллана, бүлү диапазонын, пальто махсус полимер материалларны, контроль системасын суыту, стрессны төгәл бүлү, материалны төгәл бүлү, вафер кисүгә ирешү өчен тарту һәм чистарту.
Соңгы елларда кайбер эчке компанияләр шулай ук лазер чистарту җиһазлары индустриясенә керделәр: төп компанияләр - Хан лазеры, Делонг Лазер, Көнбатыш Күл инструменты, универсаль интеллект, Кытай электроника технологияләре төркеме корпорациясе һәм Кытай Фәннәр академиясенең ярымүткәргечләр институты. Алар арасында, Han's Laser һәм Delong Laser исемлегендәге компанияләр озак вакыт макетта торалар, һәм аларның продуктлары клиентлар тарафыннан тикшерелә, ләкин компаниянең продукт линияләре күп, һәм лазерны чистарту җайланмалары аларның бер эше генә. Көнбатыш Күл инструменты кебек күтәрелүче йолдызларның продуктлары формаль заказ җибәрүгә ирештеләр; Универсаль Интеллект, Китай Электроника Технология Групп Корпорациясе 2, Кытай Фәннәр Академиясенең ярымүткәргечләр институты һәм башка компанияләр дә җиһазлар барышын чыгардылар.
3. Лазер сызу технологиясен һәм базар кертү ритмын үстерү өчен этәргеч факторлар
6 дюймлы кремний карбид субстратларының бәясен киметү лазер сызу технологиясен үстерергә этәрә: Хәзерге вакытта 6 дюймлы кремний карбид субстратларының бәясе 4000 юань / кисәктән түбән төште, кайбер җитештерүчеләрнең бәя бәясенә якынлашты. Лазерны чистарту процессы югары җитештерүчәнлеккә һәм көчле рентабельлелеккә ия, бу лазерны чистарту технологиясенең үтеп керү тизлеген арттыра.
8 дюймлы кремний карбид субстратларының нечкәлеге лазерны чистарту технологиясе үсешенә этәрә: 8 дюймлы кремний карбид субстратларының калынлыгы хәзерге вакытта 500ум, һәм 350ум калынлыкка таба үсә. 8 дюймлы кремний карбид эшкәртүдә чыбык кисү процессы эффектив түгел (субстрат өслеге яхшы түгел), һәм BOW һәм WARP кыйммәтләре сизелерлек начарланды. Лазер сызу 350ум кремний карбид субстрат эшкәртү өчен кирәкле эшкәртү технологиясе булып санала, бу лазерны чистарту технологиясенең үтеп керү тизлеген арттыра.
Базар көтүләре: SiC субстрат лазер сызу җиһазлары 8 дюймлы SiC киңәюеннән һәм 6 дюймлы SiC бәясен киметүдән файда күрә. Хәзерге тармакның критик пункты якынлаша, һәм тармак үсеше бик тизләнәчәк.
Пост вакыты: Июль-08-2024