Химик пар парламенты(CVD)ярымүткәргеч тармагында төрле материаллар, шул исәптән изоляцион материаллар, күпчелек металл материаллар һәм металл эретү материаллары кертү өчен, иң киң кулланылган технология.
CVD - традицион нечкә фильм әзерләү технологиясе. Аның принцибы - газлы прекурсорларны атом һәм молекулалар арасындагы химик реакцияләр аша прекурсордагы кайбер компонентларны таркату, аннары субстратта нечкә пленка формалаштыру. CVD-ның төп характеристикалары: химик үзгәрешләр (химик реакцияләр яки җылылык бозылуы); фильмдагы барлык материаллар тышкы чыганаклардан килә; реакторлар реакциядә газ фазасы формасында катнашырга тиеш.
Түбән басымлы химик пар парламенты (LPCVD), плазманы көчәйтелгән химик пар парламенты (PECVD) һәм югары тыгызлыктагы плазмалы химик пар парламенты (HDP-CVD) - өч киң таралган CVD технологиясе, алар материаль чүпләү, җиһаз таләпләре, процесс шартлары һ.б. Түбәндә бу өч технологияне гади аңлату һәм чагыштыру.
1. LPCVD (Түбән басымлы CVD)
Принцип: түбән басым шартларында CVD процессы. Аның принцибы - реакция газын вакуум яки түбән басым шартларында реакция камерасына кертү, газны югары температурада таркату яки реакцияләү, һәм субстрат өслегендә урнаштырылган каты пленка формалаштыру. Түбән басым газ бәрелешен һәм турбулентлыкны киметкәнгә, фильмның бердәмлеге һәм сыйфаты яхшыра. LPCVD кремний диоксиды (LTO TEOS), кремний нитрид (Si3N4), полисиликон (POLY), фосфосилик пыяла (BSG), борофосфосилик пыяла (BPSG), допедлы полисиликон, графен, углерод нанотубы һәм башка фильмнарда киң кулланыла.
Характеристикалары:
▪ Процесс температурасы: гадәттә 500 ~ 900 ° C арасында, процесс температурасы чагыштырмача югары;
▪ Газ басымы диапазоны: түбән басымлы мохит 0,1 ~ 10 Торр;
▪ Кино сыйфаты: югары сыйфатлы, яхшы бердәмлек, яхшы тыгызлык, кимчелекләр аз;
Osition Депозиция ставкасы: әкренләп чуму дәрәҗәсе;
Iform Бердәмлек: зур күләмле субстратлар, бердәм чүпләү өчен яраклы;
Уңай яклары һәм кимчелекләре:
Very бик бертөрле һәм тыгыз фильмнарны урнаштыра ала;
Mass массакүләм җитештерү өчен яраклы зур күләмле субстратларда яхшы эшли;
▪ Аз бәя;
Heat temperatureгары температура, җылылыкка сизгер материаллар өчен яраксыз;
▪ Депозиция тизлеге әкрен һәм чыгару чагыштырмача түбән.
2. PECVD (Плазманы көчәйтелгән CVD)
Принцип: түбән температурада газ фазасы реакцияләрен активлаштыру, реакция газындагы молекулаларны ионлаштыру һәм таркату өчен плазманы кулланыгыз, аннары субстрат өслегенә нечкә пленкалар урнаштырыгыз. Плазманың энергиясе реакция өчен кирәк булган температураны бик киметә ала, һәм куллануның киң ассортименты бар. Төрле металл фильмнар, органик булмаган фильмнар һәм органик фильмнар әзерләнергә мөмкин.
Характеристикалары:
▪ Процесс температурасы: гадәттә 200 ~ 400 ° C арасында, температура чагыштырмача түбән;
▪ Газ басымы диапазоны: гадәттә йөзләгән mTorr - берничә Торр;
▪ Кино сыйфаты: фильмның бердәмлеге яхшы булса да, плазма белән кертелергә мөмкин кимчелекләр аркасында фильмның тыгызлыгы һәм сыйфаты LPCVD кебек яхшы түгел;
Osition Депозиция дәрәҗәсе: югары ставка, югары җитештерүчәнлек;
Iform Бердәмлек: зур күләмле субстратларда LPCVDдан бераз түбән;
Уңай яклары һәм кимчелекләре:
In Нечкә фильмнарны түбән температурада урнаштырырга мөмкин, җылылыкка сизгер материаллар өчен яраклы;
Effective Эффектив җитештерү өчен яраклы тиз тизлек;
▪ Эчкерсез процесс, кино үзлекләрен плазма параметрларын көйләп контрольдә тотарга мөмкин;
Las Плазма кино җитешсезлекләрен кертә ала, мәсәлән, тишек яки бертөрле булмаганлык;
L LPCVD белән чагыштырганда, кино тыгызлыгы һәм сыйфаты бераз начаррак.
3. HDP-CVD (тыгызлыктагы плазмалы CVD)
Принцип: махсус PECVD технологиясе. HDP-CVD (шулай ук ICP-CVD дип тә атала) түбән температурада традицион PECVD җиһазларына караганда плазма тыгызлыгын һәм сыйфатын җитештерә ала. Моннан тыш, HDP-CVD мөстәкыйль ион агымы һәм энергия белән идарә итүне тәэмин итә, кино чүпләнүен таләп итү өчен окоп яки тишек тутыру мөмкинлекләрен яхшырта, мәсәлән, анти-рефектив капламалар, түбән диэлектрик даими материал чүпләү һ.б.
Характеристикалары:
▪ Процесс температурасы: бүлмә температурасы 300 to, процесс температурасы бик түбән;
▪ Газ басымы диапазоны: 1 - 100 мТорр арасында, PECVDдан түбән;
▪ Кино сыйфаты: югары плазма тыгызлыгы, кино сыйфаты, яхшы бердәмлек;
Osition Депозиция дәрәҗәсе: LPCVD белән PECVD арасында, LPCVD белән чагыштырганда бераз югарырак;
Iform Бердәмлек: югары тыгызлыктагы плазма аркасында кино бердәмлеге искиткеч, катлаулы формадагы субстрат өслекләр өчен яраклы;
Уңай яклары һәм кимчелекләре:
Low heatылылыкка сизгер материаллар өчен бик яраклы, түбән температурада югары сыйфатлы фильмнар урнаштыра белү;
Film Искиткеч кино бердәмлеге, тыгызлыгы һәм өслегенең тигезлеге;
Pla Плазманың югары тыгызлыгы чүпнең бердәмлеген һәм кино үзлекләрен яхшырта;
Equipment Катлаулы җиһазлар һәм югары бәя;
Osition Чокыр тизлеге әкрен, һәм югары плазма энергиясе аз күләмдә зыян китерергә мөмкин.
Киләсе сөйләшү өчен безгә бөтен дөньядан килгән клиентларны рәхим итегез!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Пост вакыты: 03-2024 декабрь