СИЛИКОН ВАФЕРЫ НИЧЕК ясарга
A вафер1 миллиметр калынлыктагы кремний кисәге, техник яктан бик таләпчән процедуралар аркасында бик яссы өслеккә ия. Соңгы куллану нинди кристалл үстерү процедурасын кулланырга кирәклеген билгели. Чохральски процессында, мәсәлән, поликристалл кремний эретелә һәм карандаш-нечкә орлык кристалллары эретелгән кремнийга батырыла. Орлык кристаллын аннары әйләндерәләр һәм әкрен генә өскә тарталар. Бик авыр колосс, монокристал, нәтиҗәләр. Монокристалның электр характеристикаларын югары чисталыклы допантларның кечкенә берәмлекләрен өстәп сайларга мөмкин. Кристаллар клиент спецификасы нигезендә допедланган, аннары чистартылган һәм кисәкләргә киселгән. Төрле өстәмә җитештерү адымнарыннан соң, клиент күрсәтелгән ваферларны махсус упаковкада ала, бу клиентка вафинны җитештерү линиясендә шунда ук кулланырга мөмкинлек бирә.
CZOCHRALSKI процессы
Бүгенге көндә кремний монокристалларының зур өлеше Чохральски процессы буенча үстерелә, бу поликристалл югары чисталык кремнийны гиперпур кварцында эретү һәм допант өстәү (гадәттә B, P, As, Sb). Нечкә, монокристалл орлык кристалл эретелгән кремнийга батырыла. Зур CZ кристалл аннары бу нечкә кристаллдан үсә. Эретелгән кремний температурасын һәм агымын төгәл көйләү, кристалл һәм критик әйләнеш, шулай ук кристалл тарту тизлеге бик югары сыйфатлы монокристалл кремний инготына китерә.
Су зонасы ысулы
Флот зонасы ысулы буенча җитештерелгән монокристаллар IGBT кебек электр ярымүткәргеч компонентларында куллану өчен идеаль. Ylилиндрик поликристалл кремний ингот индукция кәтүге өстенә куелган. Радио ешлыгы электромагнит кыры кремнийны таякның аскы өлешеннән эретергә ярдәм итә. Электромагнит кыры кремний агымын индукция кәтүкендәге кечкенә тишек аша һәм аста урнашкан монокристалга көйли (йөзү зонасы ысулы). Допинг, гадәттә В яки П белән, газлы матдәләр өстәп ирешелә.
Пост вакыты: 07-2021 июнь