Кремний карбид кристалл үскәч, кристаллның охаль үзәге белән кыр арасындагы үсеш интерфейсының "мохите" төрле була, шуңа күрә кристалл стрессы арта, һәм кристалл кыры аркасында "комплекслы кимчелекләр" чыгару җиңел. "углерод" графит тукталышы тәэсиренә, чит проблеманы ничек чишәргә яки үзәкнең эффектив мәйданын арттырырга (95% тан артык) мөһим техник тема.
"Микротубуллар" һәм "инклюзияләр" кебек макро җитешсезлекләр тармак белән контрольдә тотыла, кремний карбид кристаллларына "тиз, озын һәм калын үсәргә, үсәргә" кыенлыклар тудырганлыктан, "комплекслы кимчелекләр" кыры гадәти булмаган күренеш белән, һәм Кремний карбид кристаллларының диаметрын һәм калынлыгын арттыру, “комплекслы кимчелекләр” кыры диаметр квадрат һәм калынлык белән арттырылачак.
Танталь карбид TaC каплавын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, бу "тиз үсү, калын үсү һәм үсү" нең төп техник юнәлешләренең берсе. Тармак технологиясе үсешен алга этәрү һәм төп материалларның "импорт" бәйләнешен чишү өчен, Хенгпу танталь карбид каплау технологиясен (CVD) чиште һәм халыкара алдынгы дәрәҗәгә иреште.
Тантал карбид TaC каплавы, тормышка ашыру күзлегеннән кыен түгел, синтеринг, CVD һәм башка ысулларга ирешү җиңел. Синтеринг ысулы, тантал карбид порошогы яки прекурсор куллану, актив ингредиентлар (гадәттә металл) һәм бәйләүче агент (гадәттә озын чылбырлы полимер) өстәп, югары температурада синтланган графит субстрат өслегенә капланган. CVD ысулы буенча, TaCl5 + H2 + CH4 графит матрицасы өслегендә 900-1500 at дәрәҗәсендә урнаштырылган.
Ләкин, тантал карбид чүплегенең кристалл ориентациясе, бердәм кино калынлыгы, каплау һәм графит матрицасы арасындагы стресс чыгарылышы, өслек ярыклары һ.б. кебек төп параметрлар бик катлаулы. Бигрәк тә кристалл үсеш мохитендә тотрыклы хезмәт срокы - төп параметр, иң катлаулы.
Пост вакыты: 21-2023 июль