VET Энергиясеннән Монокристалл 8 Инч Кремний Ваферы - ярымүткәргеч һәм электрон җайланмалар ясау өчен тармакта алдынгы чишелеш. Supгары чисталык һәм кристалл структура тәкъдим итеп, бу ваферлар фотовольтаик һәм ярымүткәргеч тармакларында югары җитештерүчән кушымталар өчен идеаль. VET Energy һәр ваферның иң югары стандартларга туры китереп эшкәртелүен тәэмин итә, алдынгы электрон җайланма җитештерү өчен кирәк булган искиткеч бердәмлекне һәм шома өслекне тәэмин итә.
Бу Монокристалл 8 Инч Кремний Ваферлары Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate кебек материаллар белән туры килә, һәм Epi Wafer үсеше өчен аеруча яраклы. Аларның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм электр характеристикалары аларны югары эффективлык җитештерү өчен ышанычлы сайлау ясый. Өстәвенә, бу ваферлар Gallium Oxide Ga2O3 һәм AlN Wafer кебек материаллар белән бертуктаусыз эшләнгән, электр электроникасыннан RF җайланмаларына кадәр күп кушымталар тәкъдим итә. Ваферлар шулай ук югары күләмле, автоматлаштырылган җитештерү мохите өчен Кассета системасына бик яхшы туры килә.
VET Energy продукт линиясе кремний вафлары белән чикләнми. Без шулай ук ярымүткәргеч субстрат материалларның киң ассортиментын тәкъдим итәбез, алар арасында SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer һ.б., шулай ук Gallium Oxide Ga2O3 һәм AlN Wafer кебек киң киң полоса ярымүткәргеч материаллар. Бу продуктлар электроника, радио ешлыгы, сенсорлар һәм башка өлкәләрдә төрле клиентларның куллану ихтыяҗларын канәгатьләндерә ала.
VET Energy клиентларга махсуслаштырылган вафин чишелешләре тәкъдим итә. Без клиентларның конкрет ихтыяҗлары буенча төрле каршылык, кислород, калынлык һ.б. белән ваферларны көйли алабыз. Моннан тыш, без шулай ук профессиональ техник ярдәм күрсәтәбез һәм сатудан соң хезмәт күрсәтәбез, клиентларга җитештерү процессында очраткан төрле проблемаларны чишәргә булышабыз.
ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6ум | ≤6ум | |||
Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Сугыш (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10mmx10mm | <2μм | ||||
Вафер кыры | Бевелинг |
ТОРМЫШ
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
Faceир өсте | Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Кыр чиплары | Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм) | ||||
Күрсәтмәләр | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Сызулар (Si-Face) | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | ||
Ярыклар | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Кыр читен чыгару | 3 мм |