"Сыйфат, хезмәтләр, җитештерүчәнлек һәм үсеш" теориясенә таянып, без IOS сертификаты Китай өчен 99,5% өчен эчке һәм бөтен дөнья кибетчеләреннән ышанычлар һәм мактаулар алдык.Керамик максатКремний Карбид каплау максаты, безнең төп максатларыбыз - бөтен дөнья буенча клиентларыбызга яхшы сыйфатлы, конкурент бәя, канәгатьләндерү һәм искиткеч хезмәтләр күрсәтү.
"Сыйфат, хезмәтләр, җитештерүчәнлек һәм үсеш" теориясенә таянып, без эчке һәм бөтендөнья кибетчеләре өчен ышанычлар һәм мактаулар алдык.Китай Кремний Карбид Спуттеринг Максаты, Керамик максат, Хәзер бездә катгый һәм тулы сыйфат белән идарә итү системасы бар, ул һәр продуктның клиентларның сыйфат таләпләрен канәгатьләндерә алуын тәэмин итә. Моннан тыш, безнең барлык әйберләр җибәрү алдыннан катгый тикшерелгән.
Углерод / углерод композитлары(алга таба - “C / C яки CFC ”) - углеродка нигезләнгән һәм углерод җепселләре һәм аның продуктлары (углерод җепселләре преформасы) белән ныгытылган композицион материал. Аның углерод инерциясе дә, углерод җепселенең югары көче дә бар. Аның яхшы механик үзлекләре, җылылыкка каршы торуы, коррозиягә каршы торуы, сүрелү сүндерү һәм җылылык һәм электр үткәрүчәнлеге үзенчәлекләре бар
CVD-SiCкаплау бердәм структура, компакт материал, югары температурага каршы тору, оксидлашуга каршы тору, югары чисталык, кислота һәм эшкәртү каршылыгы һәм органик реагент, тотрыклы физик һәм химик үзенчәлекләргә ия.
Grafгары чисталыклы графит материаллары белән чагыштырганда, графит 400C температурада оксидлаша башлый, бу оксидлашу аркасында порошокның югалуына китерәчәк, периферия җайланмаларына һәм вакуум камераларына әйләнә-тирә мохитнең пычрануына китерә, һәм югары чисталык мохитенең пычраклыгын арттыра.
Ләкин, SiC капламасы 1600 градус физик һәм химик тотрыклылыкны саклый ала, ул хәзерге индустриядә, аеруча ярымүткәргеч тармагында киң кулланыла.
Безнең компания графит, керамика һәм башка материаллар өстендә CVD ысулы белән SiC каплау процессы хезмәтләрен күрсәтә, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясыйлар, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар, СИС саклагыч катламын формалаштыру. Формалаштырылган СИС графит нигезенә нык бәйләнгән, графит базасына махсус үзенчәлекләр бирә, шулай итеп графит өслеген компакт, порозитсыз, югары температурага каршы, коррозиягә каршы һәм оксидлашуга каршы тора.
Төп үзенчәлекләр:
1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:
температура 1600 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.
2. Purгары чисталык: химик парларны югары температурада хлорлаштыру шартларында ясыйлар.
3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.
4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.
CVD-SIC капламаларының төп үзенчәлекләре:
| SiC-CVD | ||
| Тыгызлыгы | (g / cc)
| 3.21 |
| Флексур көч | (Mpa)
| 470 |
| Rылылык киңәюе | (10-6 / К) | 4
|
| Rылылык үткәрүчәнлеге | (W / mK) | 300
|
