.Әр сүзнеңГрафит базасы белән югары чисталык каты CVD SiC күпчелеквет-кытайдан - югары җитештерүчән тармакларның таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән алдынгы материал. Бу продукт югары чисталыкны һәм җылылык тотрыклылыгын берләштерәCVD SiC (Кремний Карбид химик парлары)ныклыграфит базасы, төрле кушымталар өчен ныклы, югары көчле компонент белән тәэмин итү. .Әр сүзнеңкаты SiCструктурасы өстен механик үзлекләрне тәэмин итә, графит базасы искиткеч җылылык үткәрүчәнлеген тәкъдим итә, бу материалны югары температуралы мохит өчен идеаль итә.
Каты күпчелектә югары чисталык SiC каплавы ярымүткәргеч эшкәртүдә, аэрокосмоста һәм башка таләпчән сәнәгать өлкәләрендә куллану өчен кирәк булган киемгә, оксидлашуга һәм химик коррозиягә каршы торуны яхшырта. вет-кытай тәэмин итәCVD SiC каплаупроцесс кремний карбидының бердәм һәм тыгыз катламына китерә, продуктның көчен дә, озын гомерен дә арттыра.
Графит базасы булган бу каты SiC күпчелек материал җылылык шокына каршы тору тәкъдим итә, бу тиз температураның үзгәрүендә тотрыклылыкны сакларга мөмкинлек бирә. CVD SiC һәм графит үзәгенең кушылуы аны экстремаль шартларда кулланырга яраклы итә, мәсәлән, химик реакторларда, ярымүткәргеч мичләрдә, һәм югары температуралы җиһазларда.
Өстәвенә ,.CVD SiC каплауөслекнең каты булуын тәэмин итә, материалны югары сүрелү шартларында киемгә һәм деградациягә каршы тора. CVD SiC-ның югары чисталыгы минималь пычрануны тәэмин итә, бу ярымүткәргеч һәм төгәл җитештерү процессларында аеруча мөһим.
вет-кытай югары чисталык каты CVD SiC күпчелекне графит базасы белән тәкъдим итә, структур бөтенлекне һәм чисталыкны саклап, экстремаль шартларга түзә ала торган материаллар таләп итә торган тармаклар өчен күпкырлы, югары җитештерүчән чишелеш.
