SiC kaplama grafit MOCVD Gofret taşıyıcıları, SiC Epitaksi için Grafit Tutucular,
Karbon, suseptörleri besler, epitaksi suseptörleri, Grafit, suseptörleri besler, Grafit Gofret Tutucular,

CVD-SiC kaplama, kararlı fiziksel ve kimyasal özelliklere sahip, tekdüze yapı, kompakt malzeme, yüksek sıcaklık dayanımı, oksidasyon direnci, yüksek saflık, asit ve alkali direnci ve organik reaktif özelliklerine sahiptir.

Yüksek saflıkta grafit malzemelerle karşılaştırıldığında, grafit 400C'de oksitlenmeye başlar, bu da oksidasyon nedeniyle toz kaybına neden olur, bu da çevresel cihazlar ve vakum odalarında çevre kirliliğine neden olur ve yüksek saflıktaki ortamın safsızlıklarını artırır.

Bununla birlikte SiC kaplama 1600 derecede fiziksel ve kimyasal stabiliteyi koruyabilmektedir. Modern endüstride özellikle yarı iletken endüstrisinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Firmamız grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle SiC kaplama proses hizmetleri vermekte, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanan malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde edilmektedir. SIC koruyucu tabakasını oluşturur.Oluşturulan SIC, grafit bazına sıkı bir şekilde bağlanarak grafit bazına özel özellikler kazandırır, böylece grafitin yüzeyini kompakt, Gözeneksiz, yüksek sıcaklık direnci, korozyon direnci ve oksidasyon direnci haline getirir.

Ana Özellikler:

1. Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci:

Sıcaklık 1700 C'ye kadar çıktığında oksidasyon direnci hala çok iyidir.

2. Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme ile yapılır.

3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.

4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.

CVD-SIC Kaplamaların Ana Özellikleri:

Tedarik Yeteneği:

Aylık 10000 Adet / Adet
Paketleme:
Ambalaj: Standart ve Güçlü Ambalaj
Poli çanta + Kutu + Karton + Palet
Liman:
Ningbo/Shenzhen/Şangay
Kurşun zamanı: