Silisyum karbür (SiC) yarı iletken malzeme, geliştirilen geniş bant aralıklı yarı iletkenler arasında en olgun olanıdır. SiC yarı iletken malzemeler, geniş yüzeyleri nedeniyle yüksek sıcaklık, yüksek frekans, yüksek güç, fotoelektronik ve radyasyona dayanıklı cihazlarda büyük uygulama potansiyeline sahiptir.
Devamını oku