SİLİKON GOFRET NASIL YAPILIR
A gofretTeknik olarak çok zorlu prosedürler sayesinde son derece düz bir yüzeye sahip olan, kabaca 1 milimetre kalınlığında bir silikon dilimidir. Sonraki kullanım hangi kristal büyütme prosedürünün kullanılması gerektiğini belirler. Örneğin Czochralski prosesinde polikristalin silikon eritilir ve kurşun kalem inceliğinde bir tohum kristali erimiş silikonun içine daldırılır. Daha sonra tohum kristali döndürülür ve yavaşça yukarı doğru çekilir. Ortaya çok ağır bir dev, bir monokristal çıkıyor. Küçük birimler halinde yüksek saflıkta katkı maddeleri ekleyerek monokristalin elektriksel özelliklerini seçmek mümkündür. Kristaller müşteri spesifikasyonlarına uygun olarak katkılanır ve ardından cilalanıp dilimler halinde kesilir. Çeşitli ek üretim adımlarından sonra müşteri, belirtilen gofretleri özel ambalajlarda alır, bu da müşterinin gofretin hemen üretim hattında kullanılmasına olanak tanır.
CZOCCHRALSKI SÜRECİ
Bugün, silikon monokristallerinin büyük bir kısmı, polikristalin yüksek saflıktaki silikonun hipersaf kuvars potada eritilmesini ve katkı maddesinin (genellikle B, P, As, Sb) eklenmesini içeren Czochralski işlemine göre büyütülmektedir. İnce, tek kristalli bir tohum kristali erimiş silikonun içine batırılır. Daha sonra bu ince kristalden büyük bir CZ kristali gelişir. Erimiş silikon sıcaklığı ve akışının, kristal ve pota dönüşünün ve ayrıca kristal çekme hızının hassas bir şekilde düzenlenmesi, son derece yüksek kalitede monokristalin silikon külçe ile sonuçlanır.
FLOAT BÖLGE YÖNTEMİ
Kayan bölge yöntemine göre üretilen monokristaller, IGBT'ler gibi güç yarı iletken bileşenlerinde kullanım için idealdir. Silindirik bir polikristalin silikon külçe, bir indüksiyon bobini üzerine monte edilir. Radyo frekansı elektromanyetik alanı, çubuğun alt kısmındaki silikonun erimesine yardımcı olur. Elektromanyetik alan, indüksiyon bobinindeki küçük bir delikten silikon akışını ve aşağıda yer alan monokristalin üzerine akışını düzenler (yüzen bölge yöntemi). Genellikle B veya P ile yapılan katkı, gaz halindeki maddelerin eklenmesiyle elde edilir.
Gönderim zamanı: Haz-07-2021