Silisyum karbür kristali büyüdüğünde, kristalin eksenel merkezi ile kenar arasındaki büyüme arayüzünün "ortamı" farklıdır, böylece kenardaki kristal gerilimi artar ve kristal kenarının "kapsamlı kusurlar" üretmesi kolaydır. Grafit durdurma halkası “karbon”un etkisine bağlı olarak kenar sorununun nasıl çözüleceği veya merkezin etkin alanının (%95'ten fazla) nasıl artırılacağı önemli bir teknik konudur.
"Mikrotübüller" ve "inklüzyonlar" gibi makro kusurlar, silisyum karbür kristallerinin "hızlı, uzun ve kalın büyümesine ve büyümesine" meydan okuyarak endüstri tarafından kademeli olarak kontrol altına alındığından, kenardaki "kapsamlı kusurlar" anormal derecede belirgindir ve Silisyum karbür kristallerinin çapı ve kalınlığı arttıkça, kenardaki “kapsamlı kusurlar” çapın karesi ve kalınlığı ile çarpılacaktır.
Tantal karbür TaC kaplamanın kullanımı kenar problemini çözmek ve "hızlı büyümek, kalınlaşmak ve büyümek" temel teknik yönlerinden biri olan kristal büyüme kalitesini arttırmaktır. Endüstri teknolojisinin gelişimini teşvik etmek ve temel malzemelerin "ithalat" bağımlılığını çözmek için Hengpu, tantal karbür kaplama teknolojisini (CVD) çözerek uluslararası ileri seviyeye ulaştı.
Tantal karbür TaC kaplamanın gerçekleştirilmesi açısından zor değildir; sinterleme, CVD ve diğer yöntemlerle elde edilmesi kolaydır. Sinterleme yöntemi, yüksek sıcaklıkta sinterlenmiş grafit substratın yüzeyine kaplanmış aktif bileşenlerin (genellikle metal) ve bağlama maddesinin (genellikle uzun zincirli polimer) eklenmesiyle tantal karbür tozu veya öncülünün kullanılmasıdır. CVD yöntemiyle TaCl5+H2+CH4, grafit matrisin yüzeyinde 900-1500°C'de biriktirildi.
Ancak tantal karbür birikiminin kristal yönelimi, tekdüze film kalınlığı, kaplama ile grafit matris arasındaki gerilimin ortadan kalkması, yüzey çatlakları vb. gibi temel parametreler son derece zordur. Özellikle sic kristal büyüme ortamında, istikrarlı bir hizmet ömrü temel parametredir ve en zorudur.
Gönderim zamanı: Temmuz-21-2023