VET Energy'nin Monokristalin 8 İnç Silikon Plakası, yarı iletken ve elektronik cihaz üretimi için endüstri lideri bir çözümdür. Üstün saflık ve kristal yapı sunan bu levhalar, hem fotovoltaik hem de yarı iletken endüstrilerindeki yüksek performanslı uygulamalar için idealdir. VET Energy, gelişmiş elektronik cihaz üretimi için gerekli olan mükemmel homojenlik ve pürüzsüz yüzey kalitesi sağlayarak her levhanın en yüksek standartları karşılayacak şekilde titizlikle işlenmesini sağlar.
Bu Monokristalin 8 İnç Silikon Gofretler, Si Gofret, SiC Substrat, SOI Gofret, SiN Substrat dahil olmak üzere çeşitli malzemelerle uyumludur ve özellikle Epi Gofret büyümesi için uygundur. Üstün termal iletkenlikleri ve elektriksel özellikleri, onları yüksek verimli üretim için güvenilir bir seçim haline getiriyor. Ayrıca bu levhalar, Galyum Oksit Ga2O3 ve AlN Levha gibi malzemelerle sorunsuz çalışacak şekilde tasarlanarak güç elektroniğinden RF cihazlarına kadar geniş bir uygulama yelpazesi sunar. Plakalar aynı zamanda yüksek hacimli, otomatikleştirilmiş üretim ortamları için Kaset sistemlerine de mükemmel uyum sağlar.
VET Enerji'nin ürün yelpazesi silikon levhalarla sınırlı değildir. Ayrıca SiC Substrat, SOI Gofret, SiN Substrat, Epi Gofret vb. dahil olmak üzere çok çeşitli yarı iletken substrat malzemelerinin yanı sıra Galyum Oksit Ga2O3 ve AlN Gofret gibi yeni geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler de sağlıyoruz. Bu ürünler, güç elektroniği, radyo frekansı, sensörler ve diğer alanlardaki farklı müşterilerin uygulama ihtiyaçlarını karşılayabilmektedir.
VET Enerji müşterilerine özelleştirilmiş gofret çözümleri sunmaktadır. Müşterilerin özel ihtiyaçlarına göre farklı direnç, oksijen içeriği, kalınlık vb. özelliklere sahip gofretleri özelleştirebiliriz. Ayrıca müşterilerin üretim sürecinde karşılaştıkları çeşitli sorunları çözmelerine yardımcı olmak için profesyonel teknik destek ve satış sonrası hizmet de sağlıyoruz.
GOFRET ÖZELLİKLERİ
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı Yalıtımlı
Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Yay(GF3YFCD)-Mutlak Değer | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Çözgü(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Gofret Kenarı | Eğim verme |
YÜZEY FİNİŞİ
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı Yalıtımlı
Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
Yüzey İşlemi | Çift taraflı Optik Cila, Si-Face CMP | ||||
Yüzey Pürüzlülüğü | (10um x 10um) Si-YüzRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Yüz Ra≤0,2nm | |||
Kenar Cipsleri | Hiçbiri İzin Verilmez (uzunluk ve genişlik≥0,5 mm) | ||||
Girintiler | Hiçbirine İzin Verilmez | ||||
Çizikler(Si-Yüz) | Adet.≤5,Kümülatif | Adet.≤5,Kümülatif | Adet.≤5,Kümülatif | ||
Çatlaklar | Hiçbirine İzin Verilmez | ||||
Kenar Hariç Tutma | 3 mm |