ICP Aşındırma Taşıyıcı

ICP Etch Taşıyıcının Öne Çıkan Görüntüsü

Kısa Açıklama:

Menşe Yeri:Çin

Kristal Yapısı:FCCβ aşaması

Yoğunluk:3,21 g/cm;

Sertlik:2500 Vickers;

Tane Büyüklüğü:2~10μm;

Kimyasal Saflık:%99,99995;

Isı Kapasitesi:640J·kg-1·K-1;

Süblimleşme Sıcaklığı:2700°C;

Feleksural Güç :415 Mpa (RT 4 Noktalı);

Young Modülü:430 Gpa (4nokta bükülme, 1300°C);

Termal Genleşme (CTE):4,5 10-6K-1;

Isı İletkenliği:300(W/MK);

Bize e-posta gönder PDF olarak indir

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Ürün Açıklaması

Firmamız grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle SiC kaplama proses hizmetleri vermekte, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanan malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde edilmektedir. SIC koruyucu tabakasını oluşturur.

Ana özellikler:

1. Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci:

Sıcaklık 1600 C'ye kadar çıktığında oksidasyon direnci hala çok iyidir.

2. Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme yoluyla yapılır.

3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.

4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri
Kristal Yapısı	FCC β fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane Boyutu	μm	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı Kapasitesi	J·kg-1 ·K-1	640
Süblimleşme Sıcaklığı	°C	2700
Feleksural Dayanım	MPa (RT 4 nokta)	415
Young Modülü	Gpa (4pt viraj, 1300°C)	430
Termal Genleşme (CTE)	10-6K-1	4.5
Isı iletkenliği	(W/mK)	300