Köplenç müşderilere gönükdirilen we diňe iň abraýly, ygtybarly we dogruçyl üpjünçi bolmak bilen çäklenmän, iň arzan bahaly Hytaý 1200c Plazma Enhanced Himiki Bug Depozisi üçin müşderilerimiz üçin hyzmatdaş bolmak hem biziň esasy maksadymyzdyr.PecvdWakuum Funace, Size näme edip biljekdigimiz barada has giňişleýin maglumat üçin islän wagtyňyz biziň bilen habarlaşyň. Biz siziň bilen gowy we uzak möhletli iş gatnaşyklaryny ýola goýmaga sabyrsyzlyk bilen garaşýarys.
Köplenç müşderilere gönükdirilen we diňe iň abraýly, ygtybarly we dogruçyl üpjün ediji bolmak bilen çäklenmän, müşderilerimiz üçin hyzmatdaş bolmak hem biziň esasy maksadymyzdyr.Hytaý plazmasy güýçlendirilen himiki bug çöketligi, Pecvd, Öňdebaryjy enjamlarymyz, ýokary hilli dolandyryş, gözleg we ösüş ukybymyz bahamyzy arzanladýar. Biziň hödürleýän bahamyz iň pes bolup bilmez, ýöne munuň bäsdeşlige ukyplydygyny kepillendirýäris! Geljekdäki iş gatnaşyklary we özara üstünlikler üçin derrew biziň bilen habarlaşmaga hoş geldiňiz!
Uglerod / uglerod kompozitleri(mundan beýläk “C / C ýa-da CFC ”) ugleroda esaslanýan we uglerod süýümi we önümleri (uglerod süýümi preformasy) bilen berkidilen birleşýän materialdyr. Uglerodyň inersiýasy we uglerod süýüminiň ýokary güýji bar. Gowy mehaniki häsiýetleri, ýylylyga garşylyk, poslama garşylyk, sürtülme nemlendirilmegi we ýylylyk we elektrik geçirijilik aýratynlyklary bar
CVD-SiCörtük birmeňzeş gurluş, ykjam material, ýokary temperatura garşylygy, okislenme garşylygy, ýokary arassalygy, kislota we aşgar garşylygy we organiki reagent, durnukly fiziki we himiki aýratynlyklary bilen häsiýetlendirilýär.
Highokary arassa grafit materiallary bilen deňeşdirilende, grafit 400C-de okislenip başlaýar, bu bolsa okislenme sebäpli tozanyň ýitmegine, periferiýa enjamlaryna we wakuum kameralaryna daşky gurşawyň hapalanmagyna we ýokary arassa gurşawyň hapalanmagyna sebäp bolar.
Şeýle-de bolsa, SiC örtügi 1600 dereje fiziki we himiki durnuklylygy saklap bilýär, häzirki zaman senagatynda, esasanam ýarymgeçiriji pudagynda giňden ulanylýar.
Kompaniýamyz, grafitiň, keramikanyň we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär. Döredilen SIK grafit bazasyna berk bagly bolup, grafit bazasyna aýratyn aýratynlyklar berýär, şeýlelik bilen grafitiň ýüzüni ykjam, gözeneksiz, ýokary temperatura garşylygy, poslama garşylyk we okislenme garşylygy edýär.
Esasy aýratynlyklary:
1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:
oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.
2. Highokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:
| SiC-CVD | ||
| Dykyzlygy | (g / cc)
| 3.21 |
| Fleksural güýç | (Mpa)
| 470 |
| Malylylyk giňelmesi | (10-6 / K) | 4
|
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300
|
