Custöriteleşdirilen SiC örtükli barrel siňdiriji

Gysga düşündiriş:

Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin öňdebaryjy prosesleri yzygiderli ösdürýäris we örtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany taýýarladyk.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Barrel duýgur is a açarydürli ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinde ulanylýan komponent.Patentlemek tehnologiýamyzy ulanýarysbarrel duýgurbilenaşa ýokary arassalyk,gowyörtükbirmeňzeşligiwe ajaýyp hyzmat ömriýalyýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylyk aýratynlyklary.

HTB energiýasy theCVD örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniý karbid önümlerini hakyky öndüriji,üpjün edip bilerdürliýarymgeçiriji we fotoelektrik pudagy üçin ýöriteleşdirilen bölekler. Our tehniki topary içerki gözleg institutlaryndan gelýär, has professional material çözgütleri berip bilerseniň üçin

Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin ösen prosesleri yzygiderli ösdürýäris,weörtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany işläp düzdüler.

Fönümlerimiziň iýmitleri:

1. 1700-e çenli ýokary temperatura okislenme garşylygy℃.
2. purokary arassalyk weýylylyk birmeňzeşligi
3. Ajaýyp poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
4. hardokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
5. Uzak hyzmat möhleti we has çydamly

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
晶体结构 / Kristal gurluş	FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向
密度 / Dykyzlygy	3.21 g / sm³
硬度 / Gatylyk	2500 维氏硬度（ 500g ýük）
晶粒大小 / Galla SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Himiki arassalygy	99.99995%
热容 / Atylylyk kuwwaty	640 J · kg^-1· K.^-1
升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy	2700 ℃
抗弯强度 / Fleksural güýç	415 MPa RT 4 bal
杨氏模量 / 'Aş modul	430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃
导热系数 / TermalGeçirijilik	300W · m^-1· K.^-1
热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1