Silikon karbid örtügi,Köplenç SiC örtügi diýlip atlandyrylýan, himiki bug buglanyşy (CVD), Fiziki bug çöketligi (PVD) ýa-da termiki pürkmek ýaly usullar arkaly kremniy karbid gatlagyny ýüzlere ulanmak prosesine degişlidir. Bu kremniy karbid keramiki örtük, adaty aşgazana garşylyk, ýylylyk durnuklylygy we poslama garşy gorag bermek arkaly dürli substratlaryň ýerüsti aýratynlyklaryny ýokarlandyrýar. SiC ýokary eriş nokady (takmynan 2700 ℃), aşa gatylygy (Mohs şkalasy 9), ajaýyp poslama we okislenme garşylygy we ajaýyp ablasiýa öndürijiligi ýaly ajaýyp fiziki we himiki aýratynlyklary bilen tanalýar.
Senagat goşundylarynda kremniy karbid örtüginiň esasy artykmaçlyklary
Bu aýratynlyklar sebäpli howa, howa enjamlary we ýarymgeçirijini gaýtadan işlemek ýaly kremniý karbid örtügi giňden ulanylýar. Ekstremal şertlerde, esasanam 1800-2000 ℃ aralygynda, SiC örtügi ajaýyp ýylylyk durnuklylygyny we ablatiw garşylygy görkezýär, bu ýokary temperaturaly programmalar üçin amatly bolýar. Şeýle-de bolsa, kremniý karbidiň diňe köp programmalar üçin zerur gurluş bitewiligi ýetmezçilik edýär, şonuň üçin komponent güýjüne zyýan bermezden özboluşly aýratynlyklaryny ulanmak üçin örtük usullary ulanylýar. Ondarymgeçiriji önümçiliginde kremniý karbid bilen örtülen elementler MOCVD amallarynda ulanylýan enjamlaryň arasynda ygtybarly goragy we öndürijilik durnuklylygyny üpjün edýär.
Silikon karbid örtügini taýýarlamagyň umumy usullary
Ⅰ● Himiki bug çöketligi (CVD) Silikon Karbid örtügi
Bu usulda, metiltrihlorosilanyň (MTS) deslapky rol oýnaýan reaksiýa kamerasyna substratlary ýerleşdirmek arkaly SiC örtükleri emele gelýär. Dolandyryş şertlerinde, adatça 950-1300 ° C we otrisatel basyşda, MTS çüýräp başlaýar we kremniy karbid ýer ýüzüne goýulýar. Bu CVD SiC örtük prosesi, ýarymgeçiriji we howa giňişliginde ýokary takyklykly programmalar üçin ideal, dykyz, birmeňzeş örtügi üpjün edýär.
Ⅱ● Öňünden öwrüliş usuly (Polimer emdirmek we piroliz - PIP)
Silikon karbid spreý örtüginiň başga bir täsirli usuly, öňünden bejerilen nusgany keramiki deslapky ergine çümdürmegi öz içine alýan deslapky öwrüliş usulydyr. Emdirme tankyny wakuumdan we örtüge basyşdan soň, nusga gyzdyrylýar, sowadylandan soň kremniy karbid örtüginiň döremegine sebäp bolýar. Bu usul birmeňzeş örtük galyňlygyny we könelişen garşylygy talap edýän komponentler üçin amatlydyr.
Silikon karbid örtüginiň fiziki aýratynlyklary
Silikon karbid örtükleri, senagat önümlerini talap etmek üçin ideal edýän häsiýetleri görkezýär. Bu häsiýetler şulary öz içine alýar:
Malylylyk geçirijiligi: 120-270 W / m · K.
Malylylyk giňeliş koeffisiýenti: 4.3 × 10 ^(-6)/ K (20 ~ 800 at aralygynda)
Elektrik garşylygy: 10 ^5- 10 ^6Ω · sm
Gatylygy: Mohs şkalasy 9
Silikon karbid örtüginiň goşundylary
Ondarymgeçiriji önümçiliginde, MOCVD we beýleki ýokary temperaturaly prosesler üçin kremniy karbid örtügi, ýokary temperatura garşylygy we durnuklylygy teklip edip, reaktorlar we duýgurlar ýaly möhüm enjamlary goraýar. Aerokosmosda we goragda ýokary tizlikli täsirlere we poslaýjy şertlere garşy durmaly komponentlere kremniy karbid keramiki örtükleri ulanylýar. Mundan başga-da, sterilizasiýa proseduralarynda çydamlylygy talap edýän lukmançylyk enjamlarynda kremniy karbid boýagy ýa-da örtükleri hem ulanylyp bilner.
Näme üçin kremniy karbid örtügini saýlaň？
Komponentleriň ömrüni uzaltmakda subut edilen ýazgy bilen, kremniý karbid örtükleri deňi-taýy bolmadyk berkligi we temperatura durnuklylygyny üpjün edýär, bu bolsa uzak möhletli ulanmak üçin tygşytly bolýar. Silikon karbid bilen örtülen ýüzüni saýlamak bilen, önümçilik hyzmatlarynyň bahasynyň peselmeginden, enjamlaryň ygtybarlylygynyň ýokarlanmagyndan we iş netijeliliginiň ýokarlanmagyndan peýdalanýar.
Näme üçin WET ENERGI saýlamaly?
VET ENERGY, Hytaýda kremniy karbid örtük önümlerini öndürýän we öndürýän kärhana. SiC örtük önümleriniň arasynda kremniy karbid keramiki örtük gyzdyryjy,CVD kremniy karbid örtügi MOCVD Susseptor, CVD SiC örtükli MOCVD grafit göterijisi, SiC örtülen grafit esasy göterijiler, Ondarymgeçiriji üçin kremniy karbid bilen örtülen grafit substraty,Icarymgeçiriji üçin SiC örtük / örtülen grafit substrat / tarelka, CVD SiC örtülen uglerod-uglerod kompozit CFC gaýyk galyplary. VET ENERGY ýarymgeçiriji pudagy üçin ösen tehnologiýa we önüm çözgütleri bilen üpjün etmegi maksat edinýär. Hytaýda uzak möhletli hyzmatdaş bolmagyňyza tüýs ýürekden umyt edýäris.
Iş wagty: 02-2023-nji sentýabr