Kristal ösüş peçiniň esasy enjamydyrkremniý karbidhrustal ösüş. Adaty kristal kremniý derejeli kristal ösüş peçine meňzeýär. Peçiň gurluşy gaty çylşyrymly däl. Esasan peç korpusyndan, ýyladyş ulgamyndan, rulon geçiriji mehanizmden, wakuum almak we ölçemek ulgamyndan, gaz ýol ulgamy, sowadyş ulgamy, dolandyryş ulgamy we ş.m. termiki meýdan we iş şertleri esasy görkezijileri kesgitleýärkremniý karbid kristalhili, ululygy, geçirijiligi we ş.m.
Bir tarapdan, ösüş döwründe temperaturakremniý karbid kristalgaty ýokary we gözegçilik edip bolmaýar. Şonuň üçin esasy kynçylyk prosesiň özünde bolýar. Esasy kynçylyklar aşakdakylar:
(1) malylylyk meýdanyna gözegçilik etmekdäki kynçylyk:
Closedapyk ýokary temperaturaly boşluga gözegçilik etmek kyn we gözegçiliksiz. Automokary derejeli awtomatlaşdyryş we gözegçilik edip bolýan we dolandyryp bolýan kristal ösüş prosesi bolan kremniý esasly çözgütden gönüden-göni kristal ösüş enjamlaryndan tapawutlylykda, kremniý karbid kristallary ýokary temperaturaly gurşawda 2000 above-dan ýokary we ösüş temperaturasy bilen ýapyk ýerde ösýär. önümçilik wagtynda takyk gözegçilik edilmeli, bu bolsa temperatura gözegçiligini kynlaşdyrýar;
(2) Kristal görnüşi dolandyrmakda kynçylyk:
Mikrop turbalar, polimorf goşulmalar, göçürmeler we beýleki kemçilikler ösüş döwründe ýüze çykýar we biri-birine täsir edýär we ösýär. Mikropipler (MP) enjamlaryň öldüriji kemçilikleri bolan birnäçe mikrondan onlarça mikron ululykdaky görnüşli kemçiliklerdir. Silikon karbid ýeke kristallary 200-den gowrak dürli kristal görnüşini öz içine alýar, ýöne önümçilik üçin zerur ýarymgeçiriji materiallardan diňe birnäçe kristal gurluş (4H görnüşi). Kristal görnüşiň üýtgemegi, ösüş prosesinde aňsat bolup, polimorf goşulma kemçiliklerine sebäp bolýar. Şonuň üçin kremniniň uglerodyň gatnaşygy, ösüş temperaturasynyň gradiýenti, kristalyň ösüş tizligi we howa akymynyň basyşy ýaly parametrleri takyk gözegçilikde saklamak zerurdyr. Mundan başga-da, kremniniň karbidiniň ýeke-täk kristal ösmeginiň ýylylyk meýdanynda temperatura gradienti bar, bu bolsa içerki stresiň döremegine we kristalyň ösüş prosesinde ýüze çykýan bölünişiklere (bazal tekiz uçuş BPD, nurbatlaryň ýerleşdirilmegi TSD, gyrasy ýerleşiş TED) sebäp bolýar. indiki epitaksiýanyň we enjamlaryň hiline we öndürijiligine täsir edýär.
(3) Dopingiň kynlygy:
Directionörite doping bilen geçiriji kristal almak üçin daşarky hapalaryň girizilmegi berk gözegçilikde saklanmalydyr;
(4) Ösüşiň haýal ösüşi:
Silikon karbidiň ösüş depgini gaty haýal. Adaty kremniy materiallary kristal hasada ösmek üçin bary-ýogy 3 gün, kremniy karbid kristal çybyklaryna 7 gün gerek. Bu, kremniy karbidiň tebigy taýdan pes öndürijiligine we gaty çäkli çykarylmagyna getirýär.
Beýleki tarapdan, enjamlaryň howa berkligi, reaksiýa kamerasyndaky gaz basyşynyň durnuklylygy, gazyň giriş wagtyna takyk gözegçilik, gazyň takyklygy ýaly kremniy karbid epitaksial ösüşiniň parametrleri gaty talap edýär. gatnaşygy we çöketlik temperaturasyny berk dolandyrmak. Hususan-da, enjamyň naprýa .eniýe garşylyk derejesiniň gowulaşmagy bilen epitaksial wafli esasy parametrlerine gözegçilik etmek kynlygy ep-esli ýokarlandy. Mundan başga-da, epitaksial gatlagyň galyňlygynyň ýokarlanmagy bilen, garşylygyň birmeňzeşligini nädip gözegçilikde saklamaly we galyňlygy üpjün etmek bilen kemçilik dykyzlygyny azaltmaly başga bir kyn meselä öwrüldi. Elektrikleşdirilen dolandyryş ulgamynda dürli parametrleriň takyk we durnukly kadalaşdyrylmagyny üpjün etmek üçin ýokary takyklyk datçiklerini we hereketlendirijileri birleşdirmeli. Şol bir wagtyň özünde dolandyryş algoritminiň optimizasiýasy hem möhümdir. Silikon karbid epitaksial ösüş prosesindäki dürli üýtgeşmelere uýgunlaşmak üçin seslenme signalyna laýyklykda dolandyryş strategiýasyny hakyky wagtda sazlamagy başarmaly.
Esasy kynçylyklarkremniý karbid substratyönümçilik:
Iş wagty: Iýun-07-2024