Silikon karbid (SiC)ýarymgeçiriji material ösen giň zolakly boşluk ýarymgeçirijileriň arasynda iň kämildir. SiC ýarymgeçiriji materiallaryň giň zolakly boşlugy, ýokary bölüniş elektrik meýdany, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary doýma elektron hereketi we kiçi göwrümi sebäpli ýokary temperaturada, ýokary ýygylykda, ýokary güýçde, fotoelektronikada we radiasiýa çydamly enjamlarda uly amaly potensiala eýe. Silikon karbidiň köp sanly amaly bar: giň zolakly boşlugy sebäpli, gün şöhlesiniň zordan täsir edýän gök ýagtylyk diodlaryny ýa-da ultramelewşe detektorlaryny ýasamak üçin ulanylyp bilner; Naprýatageeniýe ýa-da elektrik meýdany kremniýden ýa-da galiý arsenidinden sekiz esse çydap bolýandygy sebäpli, ýokary woltly diodlar, güýç triodlary, kremniý bilen dolandyrylýan we ýokary güýçli mikrotolkun enjamlary ýaly ýokary woltly ýokary güýçli enjamlary öndürmek üçin amatlydyr; Elektron göçüş tizliginiň ýokary bolmagy sebäpli dürli ýokary ýygylykly enjamlara (RF we mikrotolkun) ýasalyp bilner;Silikon karbidýylylygy gowy geçiriji we ýylylygy beýleki ýarymgeçiriji materiallardan has gowy geçirýär, bu bolsa kremniý karbid enjamlaryny ýokary temperaturada işleýär.
Mysal üçin, APEI häzirki wagtda NASA-nyň Wenera Explorer (VISE) üçin kremniy karbid komponentlerini ulanyp, daşky gurşawy DC hereketlendiriji ulgamyny ösdürmäge taýýarlanýar. Dizaýn etabynda henizem maksat Wenusyň üstünde gözleg robotlaryny guratmak.
Mundan başga-da, silicon karbidegüýçli ion kowalent baglanyşygy bar, ýokary gatylygy, misiň üstünden ýylylyk geçirijiligi, gowy ýylylyk ýaýramagy, poslama garşylygy gaty güýçli, radiasiýa garşylygy, ýokary temperatura garşylygy we gowy himiki durnuklylygy we beýleki häsiýetleri bar. howa giňişligi tehnologiýasy. Mysal üçin, kosmonawtlar, gözlegçiler ýaşamak we işlemek üçin kosmos gämisini taýýarlamak üçin kremniy karbid materiallaryny ulanmak.
Iş wagty: Awgust-01-2022