Fotolitografiýa tehnologiýasy esasan kremniý wafli boýunça zynjyr nagyşlaryny paş etmek üçin optiki ulgamlary ulanmaga gönükdirilendir. Bu prosesiň takyklygy integral zynjyrlaryň işleýşine we öndürijiligine gönüden-göni täsir edýär. Çip öndürmek üçin iň ýokary enjamlaryň biri hökmünde daşbasma enjamynda ýüzlerçe müň komponent bar. Daşbasma ulgamynyň içindäki optiki komponentleriň we komponentleriň ikisi hem zynjyryň işleýşini we takyklygyny üpjün etmek üçin gaty ýokary takyklygy talap edýär.SiC keramikaulanyldywafliwe keramiki kwadrat aýnalar.
WaferDaşbasma maşynynyň içindäki wafli, täsir ediş döwründe wafli göterýär we hereketlendirýär. Wafli bilen çeňňegiň arasyndaky takyk deňleşdirme, wafliň üstündäki nagşy takyk köpeltmek üçin zerurdyr.SiC wafliÇaklar ýeňil, ýokary ölçegli durnuklylyk we pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti bilen bellidir, bu inertial ýükleri azaldyp, hereketiň netijeliligini, ýerleşiş takyklygyny we durnuklylygyny ýokarlandyryp biler.
Keramiki inedördül aýna Daşbasma enjamynda, wafli bilen maska basgançagynyň arasyndaky hereketi sinhronlamak möhümdir, bu daşbasma takyklygyna we hasyllylygyna gönüden-göni täsir edýär. Kwadrat reflektor, wafli çan skanerini ýerleşdirmek bilen jogap beriş ölçeg ulgamynyň esasy düzüm bölegi bolup, onuň maddy talaplary ýeňil we berkdir. Silikon karbid keramikasy ýeňil ýeňil häsiýetlere eýe bolsa-da, şeýle komponentleri öndürmek kyn. Häzirki wagtda öňdebaryjy halkara integral zynjyr enjamlaryny öndürijiler esasan birleşdirilen kremnit we kordierit ýaly materiallary ulanýarlar. Şeýle-de bolsa, tehnologiýanyň ösmegi bilen hytaýly hünärmenler uly göwrümli, çylşyrymly, ýokary ýeňil, doly ýapylan kremniy karbid keramiki inedördül aýnalary we fotolitografiýa maşynlary üçin beýleki funksional optiki komponentleri öndürmegi gazandylar. Apertura diýlip hem atlandyrylýan fotomask, duýgur materialda nagyş döretmek üçin maska arkaly ýagtylyk berýär. Şeýle-de bolsa, EUV ýagtylygy maskany şöhlelendirende, ýylylyk çykaryp, ýylylygy zaýalap bilýän temperaturany 600-den 1000 gradusa çenli ýokarlandyrýar. Şonuň üçin SiC filminiň bir gatlagy adatça fotomaskada goýulýar. ASML ýaly köp sanly daşary ýurt kompaniýasy, fotomask ulanylanda arassalanmagy we barlagy azaltmak we EUV fotolitografiýa maşynlarynyň netijeliligini we önüm öndürijiligini ýokarlandyrmak üçin 90% -den gowrak geçirijilikli filmler hödürleýär.
Plazma ýokaşmagy“Deposition Photomasks”, kreslolar diýlip hem atlandyrylýar, maskanyň üsti bilen ýagtylygy geçirmek we fotosensiw materialda nagyş döretmek esasy wezipesi bar. Şeýle-de bolsa, EUV (aşa ultramelewşe) ýagtylyk fotomaskany şöhlelendirende, ýylylyk çykaryp, ýylylygy zaýalap bilýän temperaturany 600 bilen 1000 gradusa çenli ýokarlandyrýar. Şonuň üçin bu meseläni ýeňilleşdirmek üçin fotomaskada kremniy karbid (SiC) filminiň bir gatlagy goýulýar. Häzirki wagtda ASML ýaly köp sanly daşary ýurt kompaniýasy fotomask ulanylanda arassalamak we gözden geçirmek zerurlygyny azaltmak üçin filmleri 90% -den gowrak aç-açanlyk bilen üpjün edip başlady, şeýlelik bilen EUV daşbasma maşynlarynyň netijeliligini we önüm öndürijiligini ýokarlandyrdy. . Plazma ýokaşmagy weDepozit fokus halkasywe beýlekiler icarymgeçiriji önümçiliginde, wafli bombalamak we islenýän zynjyr nagşy galýança islenilmeýän materiallary saýlap aýyrmak üçin plazmada ionlaşdyrylan suwuk ýa-da gaz etantlaryny (ftorly gazlar) ulanýar.wafliüstü. Munuň tersine, inçe filmiň çökdürilmegi, inçe film döretmek üçin demir gatlaklaryň arasynda izolýasiýa materiallaryny ýygnamak üçin depozit usulyny ulanyp, çişmegiň ters tarapyna meňzeýär. Iki proses hem plazma tehnologiýasyny ulanýandygy sebäpli, otaglara we komponentlere poslaýjy täsirlere ýykgyn edýärler. Şonuň üçin enjamyň içindäki komponentler gowy plazma garşylygy, ftor gazlaryna pes reaktiwligi we pes geçirijiligi bolmalydyr. Fokus halkalary ýaly adaty nagyş we depozit enjamlarynyň bölekleri, adatça kremniý ýa-da kwars ýaly materiallardan ýasalýar. Şeýle-de bolsa, toplumlaýyn zynjyr miniatýurizasiýasynyň ösmegi bilen, toplumlaýyn zynjyr önümçiliginde emele geliş proseslerine isleg we ähmiýet artýar. Mikroskopiki derejede takyk kremniý wafli bilen işlemek, has kiçi çyzyk giňliklerine we has çylşyrymly enjam gurluşlaryna ýetmek üçin ýokary energiýa plazmasyny talap edýär. Şonuň üçin himiki buglaryň çökdürilmegi (CVD) kremniy karbidi (SiC) ajaýyp fiziki we himiki aýratynlyklary, ýokary arassalygy we birmeňzeşligi bilen kem-kemden enjamlaşdyrmak we çökdürmek üçin ileri tutulýan örtük materialyna öwrüldi. Häzirki wagtda eriş enjamlarynda CVD kremniy karbid komponentlerine fokus halkalary, gaz duşy kelleleri, gaplar we gyralar halkalary girýär. Depozit enjamlarynda kamera gapaklary, kamera çyzgylary weSIK bilen örtülen grafit substratlar.
Pes reaktiwligi we hlor we ftor çykaryjy gazlara geçirijiligi sebäpli,CVD kremniy karbidplazma enjamlarynda fokus halkalary ýaly komponentler üçin ideal material boldy.CVD kremniy karbidnagyş enjamlarynyň düzüm böleklerine fokus halkalary, gaz duşy kelleleri, tarelkalar, gyradaky halkalar we ş.m. fokus halkalaryny mysal hökmünde alyň, olar wafli daşynda we wafli bilen göni aragatnaşykda. Halka naprýatageeniýe ulanyp, plazma halkanyň üsti bilen waflä gönükdirilip, amalyň birmeňzeşligini ýokarlandyrýar. Däp bolşy ýaly, fokus halkalary kremniden ýa-da kwarsdan ýasalýar. Şeýle-de bolsa, integral zynjyr miniatýurizasiýasynyň ösmegi bilen, toplumlaýyn zynjyr önümçiliginde emele geliş proseslerine isleg we ähmiýet artýar. Plazma täsir ediji güýç we energiýa talaplary ýokarlanmagyny dowam etdirýär, esasanam has ýokary plazma energiýasyny talap edýän kuwwatly birleşdirilen plazma (CCP) enjamlarynda. Netijede, kremniniň karbid materiallaryndan ýasalan fokus halkalarynyň ulanylyşy artýar.
Iş wagty: Oktýabr-29-2024