Purokary arassa grafit komponentleri möhümdirýarymgeçiriji, LED we gün senagatyndaky prosesler. Biziň teklibimiz, hrustal ösýän gyzgyn zolaklar üçin grafit sarp ediş materiallaryndan (gyzdyryjylar, möhüm duýgurlar, izolýasiýa), epitax ýa-da MOCVD üçin kremniý karbid bilen örtülen grafit duýgurlary ýaly wafli gaýtadan işleýän enjamlar üçin ýokary takyk grafit komponentlerine çenli. Hünärmen grafitimiz şu ýerde ýüze çykýar: izostatiki grafit goşma ýarymgeçiriji gatlaklary öndürmek üçin möhümdir. Bular epitaksiýa ýa-da MOCVD diýlip atlandyrylýan döwürde aşa gyzgynlykda “gyzgyn zonada” emele gelýär. Wafleriň reaktorda örtülen aýlanýan göterijisi kremniý karbid bilen örtülen izostatiki grafitden durýar. Diňe bu gaty arassa, birmeňzeş grafit örtük prosesinde ýokary talaplara laýyk gelýär.
TLED epitaksial wafli ösüşiniň esasy ýörelgesidir: degişli temperaturada gyzdyrylan substratda (esasan sapfir, SiC we Si), InGaAlP gazly material, belli bir hrustal filmi ösdürmek üçin gözegçilik astynda substratyň üstüne daşalýar. Häzirki wagtda LED epitaksial wafliň ösüş tehnologiýasy esasan organiki metal himiki bug çökgünligini kabul edýär.
LED epitaksial substrat materialyýarymgeçiriji yşyklandyryş pudagynyň tehnologiki ösüşiniň özenidir. Dürli substrat materiallara dürli LED epitaksial wafli ösüş tehnologiýasy, çip gaýtadan işlemek tehnologiýasy we enjam gaplamak tehnologiýasy gerek. Substrat materiallar ýarymgeçirijiniň yşyklandyryş tehnologiýasynyň ösüş ugruny kesgitleýär.
LED epitaksial wafli substrat material saýlamasynyň aýratynlyklary:
1.
2. Epitaksial materiallaryň ýadrosyna we güýçli ýelmeşmegine amatly interfeýs aýratynlyklary
3. Gowy himiki durnuklylygy bar we epitaksial ösüşiň temperaturasynda we atmosferasynda dargamak we poslamak aňsat däl.
4. Gowy ýylylyk geçirijiligi we pes ýylylyk laýyk gelmezligi ýaly gowy ýylylyk öndürijiligi
5. Gowy geçirijilik, ýokarky we aşaky gurluşa 6 bolup biler, gowy optiki öndürijilik we öndürilen enjamyň çykýan ýagtylygy substrat tarapyndan az sorulýar
7. Gowy mehaniki häsiýetler we inçe, polishing we kesmek ýaly enjamlary aňsat gaýtadan işlemek
8. Pes baha.
9. Uly ululyk. Adatça, diametri 2 dýuýmdan az bolmaly däldir.
10. Adaty görnüşli substraty almak aňsat (başga aýratyn talaplar bolmasa) we epitaksial enjamlaryň lýuboý çukuryna meňzeş substrat görnüşi epitaksial hiline täsir etmek üçin tertipsiz tok akymyny döretmek aňsat däl.
11. Epitaksial hiline täsir etmezlik şerti bilen, substratyň işleýşi indiki çipi we gaplamany gaýtadan işlemegiň talaplaryna laýyk gelmelidir.
Substraty saýlamak üçin ýokardaky on bir tarapa bir wagtyň özünde laýyk gelmek gaty kyn. Şonuň üçin häzirki wagtda epitaksial ösüş tehnologiýasynyň üýtgemegi we enjamy gaýtadan işlemek tehnologiýasynyň sazlanmagy arkaly diňe gözleg we gözleg işlerine we dürli substratlarda ýarymgeçirijiniň ýagtylyk çykaryjy enjamlaryny öndürip bileris. Galiý nitridini öwrenmek üçin köp substrat material bar, ýöne önümçilikde ulanyp boljak diňe iki substrat bar, ýagny sapfir Al2O3 we kremniy karbidSiC substratlary.
Iş wagty: 28-2022-nji fewral