SiC ýokary eriş nokady, ýokary gatylyk, poslama garşylyk we okislenme garşylygy ýaly ajaýyp fiziki we himiki aýratynlyklara eýedir. Esasanam 1800-2000 range aralygynda, SiC ablasiýa garşylygy gowy. Şol sebäpli, howa giňişliginde, ýarag enjamlarynda we beýleki ugurlarda giň ulanylyş mümkinçilikleri bar. Şeýle-de bolsa, SiC-iň özi ýaly ulanylyp bilinmezgurluşlymaterial,örtük usuly, köplenç könelmegine we ablasiýa garşylygyndan peýdalanmak üçin ulanylýarce.
Silikon karbid(SIK) ýarymgeçiriji material üçünji nesil sebirinji nesil elementi ýarymgeçiriji materialdan (Si, GE) we ikinji nesil goşma ýarymgeçiriji materialdan (GaAs, boşluk, InP we ş.m.) soň döredilen mikonduktor materialy. Giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji material hökmünde kremniy karbid uly zolak boşlugynyň giňligi, ýokary bölüniş meýdanynyň güýji, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary göterijiniň doýma tizligi, kiçi dielektrik hemişelik, güýçli radiasiýa garşylygy we gowy himiki durnuklylygy ýaly aýratynlyklara eýedir. Temperatureokary temperatura garşylygy bolan dürli ýokary ýygylykly we ýokary güýçli enjamlary öndürmek üçin ulanylyp bilner we kremniý enjamlarynyň ukypsyz bolan ýagdaýynda ýa-da umumy programmalarda kremniy enjamlarynyň öndürmek kyn täsirini döredip biler.
Esasy amaly: 3-12 dýuým monokristally kremnini, polikristally kremnini, kaliý arsenidi, kwars kristalyny we ş.m. sim kesmek üçin ulanylýar. Gün fotoelektrik senagaty, ýarymgeçiriji senagaty we piezoelektrik kristal senagaty üçin in Engineeringenerçilik materiallary.Ulanylýarýarymgeçiriji, ýyldyrym çybygy, zynjyr elementi, ýokary temperatura ulanylyşy, ultramelewşe detektor, gurluş materialy, astronomiýa, disk tormozy, debriyaj, dizel bölejik süzgüji, filament pirometri, keramiki film, kesiji gural, ýyladyş elementi, ýadro ýangyjy, şaý-sepler, polat, gorag enjamlary, katalizator goldawy we beýleki ugurlar
Iş wagty: 17-2022-nji fewral