SiC örtükli grafit esaslary, adatça metal-organiki himiki bug buglaýyş (MOCVD) enjamlarynda ýeke kristal substratlary goldamak we gyzdyrmak üçin ulanylýar. SiC örtülen grafit bazasynyň ýylylyk durnuklylygy, ýylylyk birmeňzeşligi we beýleki öndürijilik parametrleri epitaksial material ösüşiniň hilinde aýgytly rol oýnaýar, şonuň üçin MOCVD enjamlarynyň esasy bölegi bolup durýar.
Wafli öndürmek prosesinde enjamlaryň öndürilmegini aňsatlaşdyrmak üçin käbir wafli substratlarda epitaksial gatlaklar gurulýar. Adaty LED ýagtylyk çykaryjy enjamlar, kremniniň aşaky gatlaklarynda GaA-nyň epitaksial gatlaklaryny taýýarlamaly; SiC epitaksial gatlagy, ýokary woltly, ýokary tokly we beýleki güýç goşundylary üçin SBD, MOSFET we ş.m. ýaly enjamlary gurmak üçin geçiriji SiC substratynda ösdürilýär; GaN epitaksial gatlagy, HEMT we aragatnaşyk ýaly RF programmalary üçin beýleki enjamlary mundan beýläk gurmak üçin ýarym izolýasiýa edilen SiC substratynda gurulýar. Bu amal CVD enjamlaryndan aýrylmazdyr.
CVD enjamlarynda substrat göni metalyň üstünde goýulyp bilinmez ýa-da epitaksial çöketlik üçin esasda ýerleşdirilip bilinmez, sebäbi ol gaz akymyny (keseligine, dikligine), temperaturany, basyşy, kesgitlemegi, hapalaýjy maddalaryň dökülmegini we beýleki taraplaryny öz içine alýar. täsir faktorlary. Şonuň üçin bazany ulanmaly, soň bolsa substraty diske ýerleşdirmeli, soňra bolsa SiC örtülen grafit bazasy (lýubka diýlip hem bilinýän) substratda epitaksial çöketlige CVD tehnologiýasyny ulanmaly.
SiC örtükli grafit esaslary, adatça metal-organiki himiki bug buglaýyş (MOCVD) enjamlarynda ýeke kristal substratlary goldamak we gyzdyrmak üçin ulanylýar. SiC örtülen grafit bazasynyň ýylylyk durnuklylygy, ýylylyk birmeňzeşligi we beýleki öndürijilik parametrleri epitaksial material ösüşiniň hilinde aýgytly rol oýnaýar, şonuň üçin MOCVD enjamlarynyň esasy bölegi bolup durýar.
Metal-organiki himiki bug buglary (MOCVD), gök LED-de GaN filmleriniň epitaksial ösmegi üçin esasy tehnologiýa. Simpleönekeý işlemegiň, dolandyrylýan ösüş depgininiň we GaN filmleriniň ýokary arassalygynyň artykmaçlyklary bar. MOCVD enjamlarynyň reaksiýa kamerasynda möhüm komponent hökmünde GaN filminiň epitaksial ösmegi üçin ulanylýan podşipnik bazasy ýokary temperatura garşylygy, birmeňzeş ýylylyk geçirijiligi, gowy himiki durnuklylyk, güýçli termiki zarba garşylygy we ş.m. artykmaçlyklara eýe bolmalydyr. Grafit materialy duşup biler ýokardaky şertler.
MOCVD enjamlarynyň esasy komponentleriniň biri hökmünde grafit bazasy film materialynyň birmeňzeşligini we arassalygyny gönüden-göni kesgitleýän substratyň göterijisi we ýyladyş organydyr, şonuň üçin onuň hili epitaksial sahypanyň taýýarlanmagyna gönüden-göni täsir edýär we şol bir wagtyň özünde wagt, ulanylyş sanynyň köpelmegi we iş şertleriniň üýtgemegi bilen, sarp edilýän zatlara degişli bolmak gaty aňsat.
Grafitiň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we durnuklylygy bar bolsa-da, MOCVD enjamlarynyň esasy komponenti hökmünde gowy artykmaçlygy bar, ýöne önümçilik prosesinde grafit poslaýjy gazlaryň we metal organikanyň galyndylary we hyzmat ediş möhleti sebäpli tozany poslaýar. grafit bazasy ep-esli azaldar. Şol bir wagtyň özünde düşýän grafit tozy, çipiň hapalanmagyna sebäp bolar.
Örtük tehnologiýasynyň peýda bolmagy, ýerüsti poroşoklary kesgitlemegi, ýylylyk geçirijiligini ýokarlandyryp we bu meseläni çözmegiň esasy tehnologiýasyna öwrülen ýylylyk paýlanyşyny deňleşdirip biler. MOCVD enjamlarynda grafit bazasy daşky gurşawy ulanýar, grafit bazasynyň üstki örtügi aşakdaky aýratynlyklara laýyk gelmelidir:
(1) Grafit bazasyny doly örtüp bolýar we dykyzlygy gowy, ýogsam grafit bazasyny poslaýjy gazda poslamak aňsat.
(2) Grafit bazasy bilen birleşmegiň güýji birnäçe ýokary temperatura we pes temperatura sikllerinden soň örtügiň düşmeginiň aňsat däldigini üpjün etmek üçin ýokarydyr.
(3) temperatureokary temperaturada we poslaýjy atmosferada örtük şowsuzlygynyň öňüni almak üçin gowy himiki durnuklylygy bar.
SiC poslama garşylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi, termiki zarba garşylygy we ýokary himiki durnuklylygy ýaly artykmaçlyklara eýedir we GaN epitaksial atmosferasynda gowy işläp biler. Mundan başga-da, SiC-iň ýylylyk giňelme koeffisiýenti grafitden gaty az tapawutlanýar, şonuň üçin SiC grafit bazasynyň üstki örtügi üçin ileri tutulýan materialdyr.
Häzirki wagtda umumy SiC esasan 3C, 4H we 6H görnüşlidir we dürli kristal görnüşleriniň SiC ulanylyşy başga. Mysal üçin, 4H-SiC ýokary güýçli enjamlary öndürip biler; 6H-SiC iň durnukly we fotoelektrik enjamlaryny öndürip biler; GaN bilen meňzeş gurluşy sebäpli, 3C-SiC GaN epitaksial gatlagyny öndürmek we SiC-GaN RF enjamlaryny öndürmek üçin ulanylyp bilner. 3C-SiC adatça β-SiC diýlip hem atlandyrylýar we β-SiC-ni möhüm ulanmak film we örtük materialy ýaly, şonuň üçin β-SiC häzirki wagtda örtük üçin esasy materialdyr.
Iş wagty: Awgust-04-2023