SIK keramikasynyň aýratynlyklary we ulanylyş gymmaty

21-nji asyrda ylym we tehnologiýanyň ösmegi bilen maglumat, energiýa, materiallar, biologiýa in engineeringenerçiligi häzirki jemgyýetçilik öndürijiliginiň, durnukly himiki aýratynlyklary, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýylylyk giňelme koeffisiýenti sebäpli kremniy karbidiň ösüşiniň dört sütünine öwrüldi. kiçi, kiçi dykyzlyk, oňat aşaga garşylyk, ýokary gatylyk, ýokary mehaniki güýç, himiki poslama garşylyk we beýleki aýratynlyklar, materiallar pudagynda çalt ösüş, keramiki top ruletlerinde, klapanlarda, ýarymgeçiriji materiallarda, gyro, ölçeg guraly, aerokosmos we beýleki meýdanlar.

Silikon karbid keramikasy 1960-njy ýyllardan bäri ösdürilýär. Ozal kremniy karbid esasan mehaniki üweýji materiallarda we zawodlarda ulanylýar. Dünýädäki ýurtlar ösen keramikanyň senagatlaşmagyna uly ähmiýet berýärler, indi bolsa adaty kremniy karbid keramikasynyň taýýarlanmagy bilen kanagatlanman, ýokary tehnologiýaly keramika kärhanalarynyň önümçiligi has çalt ösýär, esasanam ösen ýurtlarda. Soňky ýyllarda, SIC keramikasyna esaslanýan köp fazaly keramika, monomer materiallarynyň berkligini we berkligini ýokarlandyryp, yzly-yzyna peýda boldy. Silikon karbid ulanylyşyň esasy dört ugry, ýagny funksional keramika, ösen refrakter materiallar, abraziw we metallurgiýa çig mallary.

Silikon karbid keramikasynyň ajaýyp aşaga garşylygy bar

Silikon karbid keramikasy bu önüm öwrenildi we kesgitlenildi. Silikon karbid keramikasynyň könelmegine garşylyk bu önüm 266 esse marganes poladyna, 1741 esse ýokary hrom çoýun demirine deňdir. Könelmegine garşylyk gaty gowy. Bu entegem bize köp pul tygşytlap biler. Silikon karbid keramikasy on ýyldan gowrak wagtlap üznüksiz ulanylyp bilner.

Silikon karbid keramikasy ýokary güýç, gaty gatylyk we ýeňil agramly

Täze material görnüşi hökmünde kremniý karbid keramikasyny ulanmak bu önümiň güýji gaty ýokary, gatylygy, agramy hem gaty ýeňil, ýokardakylary ulanmak, gurmak we çalyşmak ýaly kremniy karbid keramikasy has amatly bolar.

Silikon karbid keramikasynyň içki diwary tekiz we tozany ýapmaýar

Silikon karbid keramikasy bu önüm ýokary temperaturadan soň atylýar, şonuň üçin kremniý karbid keramikasynyň gurluşy birneme dykyz, üstü tekiz, ulanylyş gözelligi has gowy bolar, şonuň üçin maşgalada ulanylsa, gözellik has gowy bolar.

Silikon karbid keramikasynyň bahasy pes

Silikon karbid keramikasyny öndürmegiň bahasy birneme az, şonuň üçin kremniý karbid keramikasynyň bahasyny satyn almak zerurlygy ýok, maşgalamyz üçin, şeýle hem köp pul tygşytlap bileris.

12

Silikon karbid keramiki amaly:

Silikon karbid keramiki top

Silikon karbid keramiki top ajaýyp mehaniki aýratynlyklara, ajaýyp okislenme garşylygyna, ýokary aşgazana garşylygy we pes sürtülme koeffisiýentine eýe. Silikon karbid keramiki top ýokary temperatura güýji, 1200 ~ 1400 dereje adaty keramiki material ep-esli azalar we 1400 gradus Selsiý karbidiň egilmek güýji 500 ~ 600MPa has ýokary derejede saklanýar, şonuň üçin iş temperaturasy ýetip biler 1600 ~ 1700 dereje.

Silikon karbid birleşýän material

Silikon karbid matrisa kompozitleri (SiC-CMC) ýokary berkligi, ýokary güýji we ajaýyp okislenme garşylygy sebäpli ýokary temperatura ýylylyk gurluşlary üçin howa giňişliginde giňden ulanyldy. SiC-CMC-ni taýýarlamak prosesi süýümi preformirlemegi, ýokary temperaturany bejermegi, mezofaza örtügini, matrisa dykyzlygyny we bejergiden soňky bejergini öz içine alýar. Strengthokary güýçli uglerod süýümi ýokary güýç we berk berklige eýe we onuň bilen ýasalan prefabrik beden gowy mehaniki aýratynlyklara eýedir.

Mezofaz örtügi (ýagny interfeýs tehnologiýasy) taýýarlyk işinde esasy tehnologiýa, mezofaza örtük usullaryny taýýarlamak himiki bug osmozyny (CVI), himiki bug çökdürilişini (CVD), sol-sol usuly (Sol-gcl), polimer emigrasiýa döwmek usuly (PLP), kremniý karbid matrisa kompozitlerini taýýarlamak üçin iň amatlysy CVI usuly we PIP usulydyr.

Interfasial örtük materiallaryna pirolitiki uglerod, bor nitridi we bor karbidi girýär, şolaryň arasynda bor karbidi oksidlenmä garşylyk görnüşli interfeýs örtügine has köp üns berilýär. Adatça uzak wagtlap okislenme şertlerinde ulanylýan SiC-CMC, şeýle hem okislenmä garşylyk bejergisini geçmeli, ýagny takmynan 100μm galyňlygy bolan dykyz kremniy karbid gatlagy önümiň ýüzüne CVD prosesi bilen goýulýar. ýokary temperaturaly okislenme garşylygyny ýokarlandyrmak üçin.


Iş wagty: Fewral-14-2023
WhatsApp onlaýn söhbetdeşlik!