Habarlar

Silikon karbid epitaksial gatlagynyň kemçilikleri näme?
admin tarapyndan 24-06-05
SiC epitaksial materiallaryň ösmegi üçin esasy tehnologiýa, ilki bilen enjamyň näsazlygyna ýa-da ygtybarlylygynyň peselmegine ýykgyn edýän gözegçilik dolandyryş tehnologiýasy üçin kemçilikleri dolandyrmak tehnologiýasydyr. Epi çenli uzalyp gidýän substrat kemçilikleriniň mehanizmini öwrenmek ...
Dowamyny oka
Okislenýän galla we epitaksial ösüş tehnologiýasy-Ⅱ
administrator tarapyndan 24-05-30
2. Epitaksial inçe filmiň ösüşi Substrat, Ga2O3 güýç enjamlary üçin fiziki goldaw gatlagyny ýa-da geçiriji gatlagy üpjün edýär. Indiki möhüm gatlak, naprýatageeniýe garşylygy we daşaýjy daşamak üçin ulanylýan kanal gatlagy ýa-da epitaksial gatlak. Bölüniş naprýa .eniýesini ýokarlandyrmak we iň pes derejäni peseltmek üçin ...
Dowamyny oka
Galiý oksidi ýeke kristal we epitaksial ösüş tehnologiýasy
administrator tarapyndan 24-05-30
Silikon karbid (SiC) we galiý nitrid (GaN) bilen görkezilen giň zolakly (WBG) ýarymgeçirijiler giňden ünsi çekdi. Adamlar elektrik ulaglarynda we elektrik torlarynda kremniy karbidiň ulanylyş perspektiwalaryna, şeýle hem galiniň ulanylyş perspektiwalaryna uly umyt baglaýarlar ...
Dowamyny oka
Silikon karbid üçin tehniki päsgelçilikler haýsylar? Ⅱ
administrator tarapyndan 24-05-22
Durnukly öndürijilikli köpçülikleýin öndürýän ýokary hilli kremniy karbid wafli bilen tehniki kynçylyklar şulary öz içine alýar: 1) kristallar 2000 ° C-den ýokary temperaturaly möhürlenen gurşawda ösmeli bolansoň, temperatura gözegçilik talaplary gaty ýokary; 2) Silikon karbidiň bolany üçin ...
Dowamyny oka
Silikon karbid üçin tehniki päsgelçilikler haýsylar?
administrator tarapyndan 24-05-22
Ondarymgeçiriji materiallaryň birinji nesli toplumlaýyn zynjyr önümçiligi üçin esas bolan adaty kremniý (Si) we germaniý (Ge) bilen aňladylýar. Pes woltly, pes ýygylykly we pes güýçli tranzistorlarda we detektorlarda giňden ulanylýar. Ondarymgeçirijiniň önüminiň 90% -den gowragy ...
Dowamyny oka
SiC mikro tozy nädip ýasalýar?
administrator tarapyndan 24-05-13
SiC ýeke kristal, 1: 1 stoiometrik nisbatda Si we C atly iki elementden ybarat IV-IV toparlaýyn ýarymgeçiriji materialdyr. Gatylygy göwherden soň ikinji ýerde durýar. SiC taýýarlamak üçin kremniniň oksid usulynyň uglerodyň azalmagy esasan aşakdaky himiki reaksiýa formulasyna esaslanýar ...
Dowamyny oka
Epitaksial gatlaklar ýarymgeçiriji enjamlara nähili kömek edýär?
administrator tarapyndan 24-05-13
Epitaksial wafli adynyň gelip çykyşy Ilki bilen, kiçijik bir düşünjäni meşhurlalyň: wafli taýýarlamak iki esasy baglanyşygy öz içine alýar: substraty taýýarlamak we epitaksial proses. Substrat ýarymgeçirijiniň ýeke kristal materialyndan ýasalan wafli. Substrat wafli önümçiligine gönüden-göni girip biler ...
Dowamyny oka
Himiki buglary çökdürmek (CVD) inçe film çökdürmek tehnologiýasy bilen tanyşlyk
administrator tarapyndan 24-05-06
Himiki bug çöketligi (CVD) möhüm inçe film çökdürmek tehnologiýasy bolup, köplenç dürli funksional filmleri we inçe gatlak materiallary taýýarlamak üçin ulanylýar we ýarymgeçiriji önümçiliginde we beýleki ugurlarda giňden ulanylýar. 1. CVD-iň iş prinsipi CVD prosesinde gaz prekursory (bir ýa-da ...
Dowamyny oka
Fotowoltaik ýarymgeçiriji pudagynyň aňyrsyndaky “gara altyn” syry: izostatiki grafite isleg we garaşlylyk
administrator tarapyndan 24-05-06
Izostatiki grafit fotoelektrik we ýarymgeçirijilerde örän möhüm materialdyr. Içerki izostatiki grafit kompaniýalarynyň çalt ösmegi bilen Hytaýdaky daşary ýurt kompaniýalarynyň monopoliýasy bozuldy. Üznüksiz garaşsyz gözleg we ösüş we tehnologiki üstünlikler bilen ...
Dowamyny oka