SILIKON WAFERINI NOWDIP EDIP BOLAR
A wafliTehniki taýdan gaty talap edilýän proseduralar sebäpli gaty tekiz ýüzüne eýe bolan takmynan 1 millimetr kremniniň bir bölegi. Soňky ulanyş haýsy kristal ösdüriş prosedurasynyň ulanylmalydygyny kesgitleýär. Mysal üçin, Czochralski prosesinde polikristally kremniý eredilýär we eredilen kremniniň içine galam inçe tohum kristaly batyrylýar. Tohum kristaly soňra aýlanýar we ýuwaş-ýuwaşdan ýokaryk çekilýär. Örän agyr kolosus, monokristal netije berýär. Monokristalyň elektrik aýratynlyklaryny ýokary arassa dopantlaryň kiçi birliklerini goşup saýlamak bolýar. Kristallar müşderiniň aýratynlyklaryna laýyklykda köpeldilýär we soňra ýalpyldawuk we dilimlere bölünýär. Dürli goşmaça önümçilik ädimlerinden soň, müşderi görkezilen wafli ýörite gaplamada alýar, bu müşderä wafli derrew önümçilik liniýasynda ulanmaga mümkinçilik berýär.
CZOCHRALSKI PROSESI
Häzirki wagtda kremniniň monokristallarynyň uly bölegi Çzochralski prosesine görä ösdürilip ýetişdirilýär, bu polikristally ýokary arassa kremniniň giperpur kwarsda eremegini we dopant goşmagyny öz içine alýar (köplenç B, P, As, Sb). Eredilen kremniniň içine inçe, monokristally tohum kristaly guýulýar. Soňra bu inçe kristaldan uly CZ kristal ösýär. Eredilen kremniniň temperaturasyny we akymyny takyk sazlamak, kristal we aýlanyş aýlanyşygy, şeýle hem kristalyň çekiş tizligi ýokary hilli monokristally kremniniň ingotyna sebäp bolýar.
SÖ FLGI ZONASY USULY
Floüzýän zona usuly boýunça öndürilen monokristallar, IGBT ýaly güýç ýarymgeçiriji komponentlerinde ulanmak üçin amatlydyr. Induksiýa rulonynyň üstünde silindr görnüşli polikristally kremniy ingot oturdylýar. Radio ýygylygy elektromagnit meýdany kremniniň hasanyň aşaky böleginden eremegine kömek edýär. Elektromagnit meýdany induksiýa rulonyndaky kiçijik deşikden we aşakda ýerleşýän monokristala kremniniň akymyny kadalaşdyrýar (ýüzýän zona usuly). Adatça B ýa-da P bilen doping, gazly maddalary goşmak arkaly gazanylýar.
Iş wagty: Iýun-07-2021