Galiý nitrid (GaN) we kremniy karbid (SiC) bilen görkezilen ýarymgeçirijileriň üçünji nesli ajaýyp aýratynlyklary sebäpli çalt ösdi. Şeýle-de bolsa, potensialyny tapmak we netijeliligini we ygtybarlylygyny optimizirlemek üçin bu enjamlaryň parametrlerini we aýratynlyklaryny nädip ölçemeli, ýokary takyklyk ölçeg enjamlary we hünär usullary talap edilýär.
Silikon karbid (SiC) we galiý nitrid (GaN) bilen görkezilen giň zolakly boşluk (WBG) materiallarynyň täze nesli barha giňden ulanylýar. Elektrik taýdan bu maddalar kremniý we beýleki adaty ýarymgeçiriji materiallara garanyňda izolýatorlara has ýakyn. Bu maddalar kremniniň çäklendirmelerini ýeňip geçmek üçin niýetlenendir, sebäbi ol dar zolakly materialdyr we şonuň üçin temperaturanyň, naprýa .eniýeniň ýa-da ýygylygyň ýokarlanmagy bilen has aýdyň ýüze çykýan elektrik geçirijiliginiň pes syzmagyna sebäp bolýar. Bu syzmagyň logiki çäkleri, ýarymgeçirijiniň işlemezligine deňsiz, gözegçiliksiz geçirijilikdir.
Bu iki giň zolakly boşluk materialyndan, GaN esasan 1 kW we 100 A-dan pes pes we orta güýji durmuşa geçiriş shemalary üçin amatlydyr. awtoulag we RF aragatnaşyk ýaly. Munuň tersine, SiC-ni gurşap alýan tehnologiýalar GaN-den has gowy ösen we elektrik ulagyň çekiş inwertorlary, elektrik geçirijisi, uly HVAC enjamlary we senagat ulgamlary ýaly has ýokary güýç goşundylaryna has laýyk gelýär.
SiC enjamlary has ýokary woltlarda, ýokary kommutasiýa ýygylyklarynda we Si MOSFET-den has ýokary temperaturada işlemäge ukyply. Bu şertlerde SiC has ýokary öndürijiligi, netijeliligi, güýç dykyzlygy we ygtybarlylygy bar. Bu artykmaçlyklar dizaýnerlere, esasanam awiasiýa, harby we elektrik ulaglary ýaly girdejili bazar segmentlerinde has bäsdeşlik etmek üçin güýç öwrüjileriň göwrümini, agramyny we bahasyny azaltmaga kömek edýär.
SiC MOSFET-ler kiçi komponentlere esaslanan dizaýnlarda has köp energiýa netijeliligini gazanmak ukyby sebäpli indiki nesil energiýa öwrüliş enjamlarynyň ösmeginde möhüm rol oýnaýar. Bu çalşyk inersenerlerden elektrik elektronikasyny döretmek üçin adatça ulanylýan dizaýn we synag usullarynyň käbirine täzeden göz aýlamagy talap edýär.
Gaty synaglara isleg artýar
SiC we GaN enjamlarynyň potensialyna doly düşünmek üçin netijeliligi we ygtybarlylygy optimizirlemek üçin kommutasiýa wagtynda takyk ölçegler talap edilýär. SiC we GaN ýarymgeçiriji enjamlar üçin synag proseduralary bu enjamlaryň has ýokary iş ýygylyklaryny we naprýa .eniýelerini göz öňünde tutmalydyr.
Esassyz funksiýa generatorlary (AFG), osiloskoplar, çeşme ölçeg birligi (SMU) gurallary we parametr analizatorlary ýaly synag we ölçeg gurallarynyň ösdürilmegi, energiýa dizaýn inersenerlerine has güýçli netijeleri gazanmaga kömek edýär. Enjamlaryň bu döwrebaplaşdyrylmagy olara gündelik kynçylyklary ýeňip geçmäge kömek edýär. Tek / Gişiliniň elektrik üpjünçiligi marketing bölüminiň başlygy Jonatan Tucker: "Geçiş ýitgilerini azaltmak elektrik enjamlary inersenerleri üçin esasy kynçylyk bolup galýar" -diýdi. Bu dizaýnlary yzygiderliligi üpjün etmek üçin berk ölçemeli. Ölçemegiň esasy usullaryndan biri, MOSFET ýa-da IGBT güýç enjamlarynyň kommutasiýa parametrlerini ölçemegiň adaty usuly bolan goşa impuls synagy (DPT) diýilýär.
SiC ýarymgeçirijiniň goşa impuls synagyny ýerine ýetirmek üçin gurnama aşakdakylary öz içine alýar: MOSFET toruny sürmek üçin funksiýa generatory; Osiloskop we VDS we ID ölçemek üçin derňew programma üpjünçiligi. Iki impulsly synagdan başga-da, ýagny zynjyr derejesini barlamakdan başga-da, material derejesini barlamak, komponent derejesini barlamak we ulgam derejesini barlamak bar. Synag gurallaryndaky täzelikler, ýaşaýyş sikliniň ähli basgançaklarynda dizaýn inersenerlerine berk dizaýn talaplaryny kanagatlandyryp biljek güýç öwürmek enjamlaryna işlemäge mümkinçilik berdi.
Düzgünleşdiriji üýtgeşmelere we ahyrky ulanyjy enjamlary üçin täze tehnologiki zerurlyklara jogap hökmünde enjamlary tassyklamaga taýyn bolmak, elektrik öndürmekden elektrik ulaglaryna çenli, elektrik elektronikasynda işleýän kompaniýalara goşmaça gymmatlyklara üns bermäge we geljekki ösüş üçin esas döretmäge mümkinçilik berýär.
Iş wagty: 27-2023-nji mart