BCD prosesi

BCD prosesi näme?

BCD prosesi ilkinji gezek 1986-njy ýylda ST tarapyndan girizilen bir çipli integral proses tehnologiýasydyr. Bu tehnologiýa bir çipde bipolýar, CMOS we DMOS enjamlaryny ýasap biler. Daş görnüşi, çipiň meýdanyny ep-esli azaldar.

BCD prosesi Bipolar sürmek ukybynyň, CMOS ýokary integrasiýa we pes energiýa sarp etmegiň, DMOS ýokary woltly we ýokary tok akymynyň artykmaçlyklaryndan doly peýdalanýandygyny aýdyp bolar. Olaryň arasynda DMOS güýji we integrasiýany gowulandyrmagyň açarydyr. Integrirlenen zynjyr tehnologiýasynyň mundan beýläk-de ösmegi bilen BCD prosesi PMIC-iň esasy önümçilik tehnologiýasyna öwrüldi.

BCD kesiş diagrammasy, çeşme ulgamy, sag boluň

BCD prosesiniň artykmaçlyklary

BCD prosesi, Bipolýar enjamlary, CMOS enjamlaryny we DMOS güýç enjamlaryny şol bir çipde edýär, bipolýar enjamlaryň ýokary geçirijilik we güýçli ýük göterijilik ukybyny we CMOS-yň ýokary integrasiýasy we pes güýji sarp edip, birleşdirip biler. biri-birine we degişli artykmaçlyklaryna doly oýnamak; şol bir wagtyň özünde, DMOS aşa az sarp edilýän kommutasiýa re iniminde işläp biler. Gysgaça aýdylanda, az energiýa sarp etmek, ýokary energiýa netijeliligi we ýokary integrasiýa BCD-iň esasy artykmaçlyklaryndan biridir. BCD prosesi energiýa sarp edilişini ep-esli azaldyp, ulgamyň işleýşini gowulandyryp we has ygtybarly bolup biler. Elektron önümleriň funksiýalary günsaýyn artýar we naprýatageeniýeniň üýtgemegine, kondensatoryň goragyna we batareýanyň ömrüni uzaltmaga bolan talaplar barha möhüm bolup başlaýar. BCD-iň ýokary tizlikli we energiýa tygşytlaýjy aýratynlyklary, ýokary öndürijilikli analog / güýç dolandyryş çipleri üçin proses talaplaryna laýyk gelýär.

BCD prosesiniň esasy tehnologiýalary

BCD prosesiniň adaty enjamlaryna pes woltly CMOS, ýokary woltly MOS turbalary, dürli bölüniş naprýa witheniýeli LDMOS, dik NPN / PNP we Schottky diodlary we ş.m. girýär. Käbir amallar JFET we EEPROM ýaly enjamlary hem birleşdirýär, netijede köp dürli bolýar. BCD prosesinde enjamlar. Şonuň üçin dizaýnda ýokary woltly enjamlaryň we pes woltly enjamlaryň, iki gezek basmak we CMOS prosesleriniň we ş.m. sazlaşyklylygyny göz öňünde tutmakdan başga-da, degişli izolýasiýa tehnologiýasy hem göz öňünde tutulmalydyr.

BCD izolýasiýa tehnologiýasynda birleşýän izolýasiýa, öz-özüni izolýasiýa etmek we dielektrik izolýasiýa ýaly köp tehnologiýalar birin-birin ýüze çykdy. Junction izolýasiýa tehnologiýasy, enjamy P görnüşli substratyň N görnüşli epitaksial gatlagynda ýasamak we izolýasiýa gazanmak üçin PN çatrygynyň ters taraplaýyn aýratynlyklaryny ulanmak, sebäbi PN çatrygy ters tarapdan gaty ýokary garşylyk görkezýär.

Öz-özüňi izolýasiýa etmek tehnologiýasy, esasan, PN birleşmesiniň izolýasiýasy bolup, izolýasiýa gazanmak üçin enjamyň çeşmesi we drena regions sebitleri bilen substratyň arasyndaky tebigy PN birikme aýratynlyklaryna daýanýar. MOS turbasy açylanda çeşme sebiti, zeýkeş sebiti we kanal könelişen sebit bilen gurşalan we substratdan izolýasiýa emele getirýär. Öçürilende, zeýkeş sebiti bilen substratyň arasyndaky PN çatrygy ters taraplaýyn bolýar we çeşme sebitiniň ýokary naprýa .eniýesi tükenýän sebit bilen izolirlenýär.

Dielektrik izolýasiýa izolýasiýa gazanmak üçin kremniniň oksidi ýaly izolýasiýa serişdesini ulanýar. Dielektrik izolýasiýa we çatryk izolýasiýasyna esaslanyp, ikisiniň artykmaçlyklaryny birleşdirip, kwazi-dielektrik izolýasiýa döredildi. Aboveokardaky izolýasiýa tehnologiýasyny saýlap alyp, ýokary woltly we pes woltly sazlaşyk gazanyp bolar.

BCD prosesiniň ösüş ugry

BCD prosess tehnologiýasynyň ösüşi, kiçijik çyzygyň giňligi we has çaltlygy ugrunda ösmek üçin mydama Muryň kanunlaryny ýerine ýetirýän adaty CMOS prosesi ýaly däl. BCD prosesi takmynan tapawutlanýar we üç ugurda ösdürilýär: ýokary naprýa .eniýe, ýokary güýç we ýokary dykyzlyk.

1. -okary woltly BCD ugry

Volokary woltly BCD şol bir çipde ýokary ygtybarly pes woltly dolandyryş zynjyrlaryny we ultra ýokary woltly DMOS derejeli zynjyrlary öndürip biler we 500-700V ýokary woltly enjamlaryň önümçiligini amala aşyryp biler. Şeýle-de bolsa, umuman aýdanyňda, BCD henizem elektrik enjamlaryna, esasanam BJT ýa-da ýokary tokly DMOS enjamlaryna has ýokary talaplary bolan önümler üçin amatlydyr we elektron yşyklandyryşda we önümçilik programmalarynda güýç gözegçiligi üçin ulanylyp bilner.

Volokary woltly BCD öndürmek üçin häzirki tehnologiýa, Appel we başganyň teklip eden RESURF tehnologiýasydyr. Enjam ýerüsti elektrik meýdanynyň paýlanyşyny tekizlemek üçin ýeňil dopirlenen epitaksial gatlagyň kömegi bilen ýasalýar we şeýlelik bilen ýerüsti bölüniş aýratynlyklaryny gowulandyrýar, şeýlelik bilen bölek bölek däl-de, bedende ýüze çykýar we şeýlelik bilen enjamyň kesiş naprýa .eniýesini ýokarlandyrýar. Lighteňil doping, BCD-iň bölüniş naprýa .eniýesini ýokarlandyrmagyň başga bir usulydyr. Esasan goşa ýaýran drena DD DDD (goşa doping drenajy) we ýeňil doply drena LD LDD (ýeňil Doping drena)) ulanylýar. DMOS drena region sebitinde, N + zeýkeş bilen P görnüşli substratyň arasyndaky asyl aragatnaşygy N-drena and bilen P görnüşli substratyň arasyndaky aragatnaşyga üýtgetmek üçin N görnüşli drift sebiti goşulýar we şeýlelik bilen bölüniş naprýa .eniýesini ýokarlandyrýar.

2. -okary kuwwatly BCD ugry

Kuwwatly BCD-iň naprýa rangeeniýe diapazony 40-90V bolup, esasan ýokary tok hereketlendirijilik ukybyny, orta naprýa .eniýäni we ýönekeý dolandyryş zynjyrlaryny talap edýän awtoulag elektronikasynda ulanylýar. Isleg aýratynlyklary ýokary tok hereketlendirijilik ukyby, orta naprýa .eniýe we dolandyryş zynjyry köplenç birneme ýönekeýdir.

3. Dokary dykyzlykly BCD ugry

Dokary dykyzlykly BCD, naprýa rangeeniýe diapazony 5-50V, käbir awtoulag elektronikasy 70V ýeter. Bir çipde has çylşyrymly we dürli funksiýalary birleşdirip bolýar. Dokary dykyzlykly BCD, esasan, awtoulag elektronikasy programmalarynda ulanylýan önümiň diwersifikasiýasyna ýetmek üçin käbir modully dizaýn ideýalaryny kabul edýär.

BCD amalynyň esasy goşundylary

BCD prosesi güýç dolandyryşynda (güýç we batareýany dolandyrmak), displeý sürüjisinde, awtoulag elektronikasynda, senagat gözegçiliginde we ş.m. giňden ulanylýar Energetika dolandyryş çipi (PMIC) analog çipleriň möhüm görnüşlerinden biridir. BCD prosesi bilen SOI tehnologiýasynyň utgaşmasy BCD prosesiniň ösüşiniň esasy aýratynlygydyr.

VET-Hytaý 30 günüň içinde grafit bölekleri, ýumşak duýulýan, kremniy karbid bölekleri, cvD kremniy karbid bölekleri we sic / Tac örtükli bölekleri bilen üpjün edip biler.
Aboveokardaky ýarymgeçiriji önümler bilen gyzyklanýan bolsaňyz, ilkinji gezek biziň bilen habarlaşmakdan çekinmäň.

Telefon: + 86-1891 1596 392
WhatsAPP: 86-18069021720
E-poçta:yeah@china-vet.com