Inçe filmiň çökdürilmegi, ýarymgeçirijiniň esasy substrat materialyna bir gatlak gatlak örtmekdir. Bu film izolýasiýa birleşýän kremniniň dioksidi, ýarymgeçiriji polisilikon, metal mis we ş.m. ýaly dürli materiallardan ýasalyp bilner. Örtük üçin ulanylýan enjamlara inçe film depozit enjamlary diýilýär.
Ondarymgeçiriji çip öndürmek prosesiniň nukdaýnazaryndan, ol öňdäki işde ýerleşýär.
Inçe filmi taýýarlamak prosesi, film emele getiriş usuly boýunça iki kategoriýa bölünip bilner: fiziki bug çöketligi (PVD) we himiki bug çöketligi(CVD), şolaryň arasynda CVD gaýtadan işleýän enjamlar has köp paýy eýeleýär.
Fiziki bug çökdürilmegi (PVD), material çeşmesiniň üstündäki bugarmagy we pes basyşly gaz / plazmanyň üsti bilen substratyň üstündäki çöketlige, bugarmak, tüýkürmek, ion şöhlesi we ş.m. degişlidir;
Himiki bug çöketligi (CVD) gaz garyndysynyň himiki reaksiýasy arkaly kremniniň wafliniň üstünde gaty film goýmak prosesine degişlidir. Reaksiýa şertlerine (basyş, deslapky) görä, atmosfera basyşyna bölünýärCVD(APCVD), pes basyşCVD(LPCVD), plazma güýçlendirilen CVD (PECVD), ýokary dykyzlykly plazma CVD (HDPCVD) we atom gatlagy (ALD).
LPCVD: LPCVD has gowy ädim örtmek ukybyna, oňat düzümi we gurluşyna gözegçilik, ýokary depozit derejesi we çykarylyşy bar we bölejikleriň hapalanmagynyň çeşmesini ep-esli azaldar. Reaksiýany, temperatura gözegçiligini we gaz basyşyny saklamak üçin ýylylyk çeşmesi hökmünde ýyladyş enjamlaryna bil baglamak gaty möhümdir. TopCon öýjükleriniň Poly gatlagy önümçiliginde giňden ulanylýar.
PECVD: PECVD inçe film çökdürmek prosesiniň pes temperaturasyna (450 gradusdan pes) ýetmek üçin radio ýygylygy induksiýasynyň netijesinde döredilen plazma bil baglaýar. Pes temperatura çökdürilmegi onuň esasy artykmaçlygy bolup, energiýany tygşytlamak, çykdajylary azaltmak, önümçilik kuwwatyny ýokarlandyrmak we ýokary temperatura sebäpli kremniý wafli azlyk göterijileriň ömri çüýremegini azaltmakdyr. PERC, TOPCON we HJT ýaly dürli öýjükleriň amallaryna ulanylyp bilner.
ALD: Gowy film birmeňzeşligi, dykyz we deşiksiz, gowy ädim örtügi aýratynlyklary, pes temperaturada (otag temperaturasy-400 ℃) amala aşyrylyp bilner, filmiň galyňlygyny ýönekeý we takyk dolandyryp biler, dürli şekilli substratlara giňden ulanylýar we reaktiw akymyň birmeňzeşligini dolandyrmak zerurlygy ýok. Emma ýetmezçiligi, filmiň emele geliş tizliginiň haýal bolmagydyr. Nanostrukturaly izolýatorlary (Al2O3 / TiO2) we inçe filmli elektroluminesent displeýleri (TFEL) öndürmek üçin ulanylýan sink sulfid (ZnS) ýagtylyk çykaryjy gatlak.
Atom gatlagynyň çökdürilmegi (ALD) wakuum örtük prosesi bolup, substrat gatlagynyň üstünde ýekeje atom gatlagy görnüşinde inçe film döredýär. 1974-nji ýylda fin material fizigi Tuomo Suntola bu tehnologiýany ösdürdi we 1 million ýewro Müňýyllyk Tehnologiýa baýragyna eýe boldy. ALD tehnologiýasy ilkibaşda tekiz panelli elektroluminesent displeýler üçin ulanylýardy, ýöne giňden ulanylmady. 21-nji asyryň başynda ALD tehnologiýasy ýarymgeçiriji pudagy tarapyndan kabul edilip başlandy. Adaty kremniniň oksidini çalyşmak üçin ultra-inçe ýokary dielektrik materiallary öndürip, meýdan effekt tranzistorlarynyň çyzygynyň giňliginiň azalmagy sebäpli ýüze çykýan syzmak häzirki meselesini üstünlikli çözdi we Muruň Kanunynyň has kiçi çyzyk giňliklerine tarap ösmegine itergi berdi. Doktor Tuomo Suntola bir gezek ALD-iň komponentleriň integrasiýa dykyzlygyny ep-esli ýokarlandyryp biljekdigini aýtdy.
Jemgyýetçilik maglumatlary, ALD tehnologiýasynyň 1974-nji ýylda Finlýandiýada PICOSUN-dan doktor Tuomo Suntola tarapyndan oýlanyp tapylandygyny we Intel tarapyndan işlenip düzülen 45/32 nanometr çipindäki ýokary dielektrik film ýaly daşary ýurtlarda senagatlaşdyrylandygyny görkezýär. Hytaýda, meniň ýurdum ALD tehnologiýasyny daşary ýurtlardan 30 ýyldan gowrak soň girizdi. 2010-njy ýylyň oktýabr aýynda Finlýandiýadaky PICOSUN we Fudan uniwersitetinde ilkinji gezek ALD tehnologiýasyny Hytaýa hödürleýän içerki ALD akademiki alyş-çalyş ýygnagy geçirildi.
Adaty himiki bug buglary bilen deňeşdirilende (CVD) we fiziki bug çökdürilmegi (PVD), ALD-iň artykmaçlyklary üç ölçegli laýyklyk, uly meýdanda film birmeňzeşligi we çylşyrymly ýerüsti şekillerde we ýokary aspekt gatnaşygy gurluşlarynda ultra inçe filmleri ösdürip ýetişdirmek üçin amatly galyňlygy dolandyrmakdyr.
—Data çeşmesi: Tsinghua uniwersitetiniň mikro-nano gaýtadan işleýän platformasy-
Murdan soňky döwürde wafli önümçiliginiň çylşyrymlylygy we prosesi ep-esli gowulaşdy. Mysal hökmünde logiki çipleri alyp, 45nm-den pes prosesler bilen önümçilik liniýalarynyň sanynyň köpelmegi bilen, esasanam 28nm we ondan aşakda işleýän önümçilik liniýalarynyň örtüginiň galyňlygy we takyklygy üçin talaplar has ýokary. Birnäçe täsir ediş tehnologiýasy ornaşdyrylandan soň, ALD prosess ädimleriniň we zerur enjamlaryň sany ep-esli artdy; ýat çipleri ulgamynda esasy önümçilik prosesi 2D NAND-dan 3D NAND gurluşyna geçdi, içerki gatlaklaryň sany köpelmegini dowam etdirdi we komponentler kem-kemden ýokary dykyzlyk, ýokary aspekt gatnaşygy gurluşlary we möhüm rol oýnady ALD ýüze çykyp başlady. Ondarymgeçirijileriň geljekdäki ösüşi nukdaýnazaryndan ALD tehnologiýasy Murdan soňky döwürde has möhüm rol oýnar.
Mysal üçin, ALD çylşyrymly 3D görnüşli gurluşlaryň (3D-NAND ýaly) örtügine we film öndürijilik talaplaryna laýyk gelýän ýeke-täk çöketlik tehnologiýasydyr. Muny aşakdaky suratda aýdyň görmek bolýar. CVD A (gök) goýlan film gurluşyň aşaky bölegini doly gurşap almaýar; CVD (CVD B) gurşawyna ýetmek üçin käbir proses düzedişleri girizilen hem bolsa, filmiň öndürijiligi we aşaky meýdanyň himiki düzümi gaty pes (suratda ak ýer); tersine, ALD tehnologiýasynyň ulanylmagy filmiň doly gurşawyny görkezýär we gurluşyň ähli ugurlarynda ýokary hilli we birmeňzeş film häsiýetleri gazanylýar.
—- ALD tehnologiýasynyň CVD bilen deňeşdirilende artykmaçlyklary (Çeşme: ASM) —-
CVD gysga möhletde iň uly bazar paýyny eýeleýän hem bolsa, ALD wafli fab enjamlary bazarynyň iň çalt ösýän böleklerine öwrüldi. Uly ösüş potensialy we çip öndürmekde esasy roly bolan bu ALD bazarynda ASM ALD enjamlary pudagynda öňdebaryjy kompaniýa.
Iş wagty: Iýun-12-2024