Zawod gönüden-göni Hytaý Greenaşyl Sik Silikon Karbid Poroşok JIS standarty

Gysga düşündiriş:


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Harytlarymyz ulanyjylar tarapyndan giňden tanalýar we ygtybarly we gönüden-göni “China Green” zawodynyň maliýe we sosial talaplaryny yzygiderli üýtgedip bilerSicSilikon Karbid Pudrasy JIS Standard, Şonuň üçin dürli müşderileriň dürli soraglary bilen duşuşyp bileris. Önümlerimizden has köp maglumat we faktlary barlamak üçin web sahypamyzy almagy unutmaň.
Harytlarymyz ulanyjylar tarapyndan giňden tanalýar we ygtybarly we yzygiderli üýtgeýän maliýe we sosial talaplary kanagatlandyryp bilerHytaý Silikon Karbid, Sic, Biziň kompaniýamyz hemişe hil islegiňizi, baha nokatlaryňyzy we satuw maksadyňyzy kanagatlandyrmagy maksat edinýär. Aragatnaşyk çäklerini açýandygyňyzy mähirli garşylaýarys. Ygtybarly üpjün ediji we gymmatly maglumat gerek bolsa, size hyzmat etmek biziň üçin uly şatlykdyr.

Önümiň beýany

Uglerod / uglerod kompozitleri(mundan beýläk “C / C ýa-da CFC ”) ugleroda esaslanýan we uglerod süýümi we önümleri (uglerod süýümi preformasy) bilen berkidilen birleşýän materialdyr. Uglerodyň inersiýasy we uglerod süýüminiň ýokary güýji bar. Gowy mehaniki häsiýetleri, ýylylyga garşylyk, poslama garşylyk, sürtülme nemlendirilmegi we ýylylyk we elektrik geçirijilik aýratynlyklary bar

CVD-SiCörtük birmeňzeş gurluş, ykjam material, ýokary temperatura garşylygy, okislenme garşylygy, ýokary arassalygy, kislota we aşgar garşylygy we organiki reagent, durnukly fiziki we himiki aýratynlyklary bilen häsiýetlendirilýär.

Highokary arassa grafit materiallary bilen deňeşdirilende, grafit 400C-de okislenip başlaýar, bu bolsa okislenme sebäpli tozanyň ýitmegine, periferiýa enjamlaryna we wakuum kameralaryna daşky gurşawyň hapalanmagyna we ýokary arassa gurşawyň hapalanmagyna sebäp bolar.

Şeýle-de bolsa, SiC örtügi 1600 dereje fiziki we himiki durnuklylygy saklap bilýär, häzirki zaman senagatynda, esasanam ýarymgeçiriji pudagynda giňden ulanylýar.

Kompaniýamyz, grafitiň, keramikanyň we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär. Döredilen SIK grafit bazasyna berk bagly bolup, grafit bazasyna aýratyn aýratynlyklar berýär, şeýlelik bilen grafitiň ýüzüni ykjam, gözeneksiz, ýokary temperatura garşylygy, poslama garşylyk we okislenme garşylygy edýär.

 Grafit üstündäki MOCVD duýgurlarynda SiC örtügi gaýtadan işlemek

Esasy aýratynlyklary:

1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:

oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.

2. Highokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.

3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.

4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

 

CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:

SiC-CVD

Dykyzlygy

(g / cc)

3.21

Fleksural güýç

(Mpa)

470

Malylylyk giňelmesi

(10-6 / K)

4

Malylylyk geçirijiligi

(W / mK)

300

Jikme-jik suratlar

Grafit üstündäki MOCVD duýgurlarynda SiC örtügi gaýtadan işlemekGrafit üstündäki MOCVD duýgurlarynda SiC örtügi gaýtadan işlemekGrafit üstündäki MOCVD duýgurlarynda SiC örtügi gaýtadan işlemekGrafit üstündäki MOCVD duýgurlarynda SiC örtügi gaýtadan işlemekGrafit üstündäki MOCVD duýgurlarynda SiC örtügi gaýtadan işlemek

Kompaniýanyň maglumatlary

111

Zawod enjamlary

222

Ammar

333

Şahadatnamalar

Şahadatnamalar22

 


  • Öňki:
  • Indiki:

  • WhatsApp onlaýn söhbetdeşlik!