galiý arsenid-fosfid epitaksial

galliý arsenid-fosfid epitaksial Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Galiý arsenid-fosfid epitaksial gurluşlar, substrat ASP görnüşiniň (ET0.032.512TU) öndürilen gurluşlaryna meňzeýär. planar gyzyl LED kristallaryny öndürmek.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Galiý arsenid-fosfid epitaksial gurluşlar, substrat ASP görnüşiniň (ET0.032.512TU) öndürilen gurluşlaryna meňzeýär. planar gyzyl LED kristallaryny öndürmek.

Esasy tehniki parametr
galiý arsenid-fosfid gurluşlaryna

1, SubstrateGaAs
a. Geçirijilik görnüşi	elektron
b. Çydamlylyk, ohm-sm	0,008
c. Kristal-berkitme	(100)
d. Faceerüsti ýalňyşlyk	(1−3) °

2. Epitaksial gatlak GaAs1-х Px
a. Geçirijilik görnüşi	elektron
b. Geçiş gatlagynda fosforyň düzümi	х = 0-dan х ≈ 0,4
c. Hemişelik kompozisiýa gatlagynda fosforyň düzümi	х ≈ 0,4
d. Daşaýjynyň konsentrasiýasy, сm3	(0,2−3,0) · 1017
e. Fotoluminesensiýa spektriniň iň ýokary tolkun uzynlygy, nm	645−673 nm
f. Elektroluminesensiýa spektriniň iň ýokary derejesinde tolkun uzynlygy	650−675 nm
g. Yzygiderli gatlagyň galyňlygy, mikron	Iň azyndan 8 nm
sag. Gatlaklyk (jemi), mikron	Iň azyndan 30 nm

3 Epitaksial gatlakly tabak
a. Deflection, mikron	Iň köp 100 um
b. Galyňlyk, mikron	360−600 um
c. Kwadratimetr	Iň azyndan 6 sm2
d. Aýratyn ýagtylyk intensiwligi (diffuziýadan soň), cd / amp	Iň azyndan 0,05 cd / amp