12 inç SOI wafli

Gysga düşündiriş:

Döwrebap 12 Inch SOI Wafer bilen öňküsi ýaly täzelikleri başdan geçiriň, VET Energy tarapyndan buýsanç bilen size getirilen tehnologiki täsinlik. Takyklyk we tejribe bilen ýasalan bu Silikon-On-izolýator wafli deňsiz-taýsyz hil we öndürijilik hödürläp, pudak standartlaryny kesgitleýär.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

VET Energy 12 dýuým SOI wafli ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji substrat materialy bolup, ajaýyp elektrik aýratynlyklary we üýtgeşik gurluşy üçin ýokary hilli. VET Energy, ýokary öndürijilikli integral zynjyrlaryňyz üçin berk binýady üpjün edip, wafli gaty az syzýan tok, ýokary tizlik we radiasiýa garşylygy üpjün etmek üçin ösen SOI wafli önümçilik proseslerini ulanýar.

VET Energy-iň önüm çyzgysy diňe SOI wafli bilen çäklenmeýär. Şeýle hem, Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer we ş.m. ýaly ýarymgeçiriji substrat materiallarynyň giň toplumyny, şeýle hem Gallium Oxide Ga2O3 we AlN Wafer ýaly giň zolakly ýarymgeçiriji materiallary hödürleýäris. Bu önümler elektrik elektronikasy, RF, datçikler we beýleki ugurlarda dürli müşderileriň isleglerini kanagatlandyryp biler.

Üstünlige ünsi jemläp, SOI waflilerimiz, her bir iş derejesinde ygtybarlylygy we netijeliligi üpjün etmek üçin galliý oksidi Ga2O3, kasetalar we AlN wafli ýaly ösen materiallary ulanýarlar. Tehnologiki ösüşe ýol açýan iň täze çözgütleri üpjün etmek üçin VET Energy-e bil baglaň.

12 dýuým SOI wafli bilen has ýokary öndürijilik bilen taslamaňyzyň mümkinçiliklerini açyň. Icarymgeçiriji tehnologiýasynyň dinamiki pudagynda üstünlik gazanmagyň düýbüni tutup, hilini, takyklygyny we täzeligini öz içine alýan wafli bilen innowasiýa mümkinçilikleriňizi ýokarlandyryň. Garaşylyşyndan ýokary premium SOI wafer çözgütleri üçin VET Energy saýlaň.

WAFERING aýratynlyklary

* n-Pm = n görnüşli Pm-Grade, n-Ps = n görnüşli Ps-Grade, Sl = -arym lsulýasiýa

Haryt	8-inç	6-inç			4-inç
Haryt	nP	n-Pm	n-Zeb	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Aý (GF3YFCD) - Jemi baha	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2μm
Wafer gyrasy	Beveling

SURFACE FINISH

* n-Pm = n görnüşli Pm-Grade, n-Ps = n görnüşli Ps-Grade, Sl = -arym lsulýasiýa

Haryt	8-inç	6-inç			4-inç
	nP	n-Pm	n-Zeb	SI	SI
Surface Finish	Iki taraplaýyn optiki polýak, Si-Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Gyrasy çipleri	Hiç birine rugsat berilmedi (uzynlygy we ini≥0.5mm)
Görkezmeler	Hiç birine rugsat berilmedi
Dyrnaklar (Si-Face)	5-nji kwartal Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri	5-nji kwartal Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri			5-nji kwartal Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri
Acksaryklar	Hiç birine rugsat berilmedi
Gyradan çykarmak	3mm