เนื่องจากมีการผลิตซับสเตรต SiC ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าในปริมาณมากทีละน้อย ข้อกำหนดที่สูงขึ้นจึงถูกหยิบยกขึ้นมาเพื่อความเสถียรและความสามารถในการทำซ้ำของกระบวนการ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง การควบคุมข้อบกพร่อง การปรับเล็กน้อยหรือการเคลื่อนตัวของสนามความร้อนในเตาเผา จะทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงของผลึกหรือข้อบกพร่องที่เพิ่มขึ้น ในระยะต่อมา เราต้องเผชิญกับความท้าทาย "การเติบโตอย่างรวดเร็ว ยาวและหนา และเติบโตขึ้น" นอกเหนือจากการปรับปรุงด้านทฤษฎีและวิศวกรรมแล้ว เรายังต้องการวัสดุสนามความร้อนขั้นสูงเพิ่มเติมเพื่อรองรับอีกด้วย ใช้วัสดุขั้นสูง ปลูกคริสตัลขั้นสูง
การใช้วัสดุใส่ตัวอย่างอย่างไม่เหมาะสม เช่น กราไฟต์ กราไฟท์ที่มีรูพรุน ผงแทนทาลัมคาร์ไบด์ ฯลฯ ในพื้นที่ร้อนจะทำให้เกิดข้อบกพร่อง เช่น การรวมตัวกันของคาร์บอนที่เพิ่มขึ้น นอกจากนี้ ในการใช้งานบางประเภท การซึมผ่านของกราไฟท์ที่มีรูพรุนไม่เพียงพอ และจำเป็นต้องมีรูเพิ่มเติมเพื่อเพิ่มการซึมผ่าน กราไฟท์ที่มีรูพรุนซึ่งมีความสามารถในการซึมผ่านสูงต้องเผชิญกับความท้าทายในการแปรรูป การกำจัดผง การกัดกรด และอื่นๆ
VET ขอแนะนำวัสดุสนามความร้อนสำหรับการปลูกคริสตัล SiC รุ่นใหม่ ซึ่งเป็นแทนทาลัมคาร์ไบด์ที่มีรูพรุน การเปิดตัวระดับโลก
แทนทาลัมคาร์ไบด์มีความแข็งแรงและความแข็งสูงมาก และการทำให้มันมีรูพรุนถือเป็นความท้าทาย การทำแทนทาลัมคาร์ไบด์ที่มีรูพรุนโดยมีความพรุนมากและมีความบริสุทธิ์สูงถือเป็นความท้าทายที่ยิ่งใหญ่ Hengpu Technology ได้เปิดตัวแทนทาลัมคาร์ไบด์ที่มีรูพรุนที่ล้ำหน้า โดยมีความพรุนสูง โดยมีความพรุนสูงสุด 75% เป็นผู้นำของโลก
สามารถใช้การกรองส่วนประกอบเฟสก๊าซ การปรับการไล่ระดับอุณหภูมิเฉพาะที่ ทิศทางการไหลของวัสดุ การควบคุมการรั่วไหล ฯลฯ สามารถใช้กับการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์แข็ง (ขนาดกะทัดรัด) หรือแทนทาลัมคาร์ไบด์อื่นจากเทคโนโลยี Hengpu เพื่อสร้างส่วนประกอบในท้องถิ่นที่มีค่าสื่อกระแสไฟฟ้าที่แตกต่างกัน
ส่วนประกอบบางอย่างสามารถนำมาใช้ซ้ำได้
เวลาโพสต์: Jul-14-2023