Таъминкунандагони Top Grey Black Silicon Carbide Sic Carborundum China High Purity

Тавсифи кӯтоҳ:


Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

We know that we only thrive if we can garanti our combined price competiveness and quality advantageous at the Top Suppliers Grey Black Silicon Carbide Sic Carborundum China High Purity, We welcome new and previous customer from all walks of lifetime to speak to us for муносибатҳои созмонҳои ояндаи пешбинишаванда ва ба даст овардани дастовардҳои мутақобила!
Мо медонем, ки мо танҳо дар сурате пешрав мешавем, ки рақобатпазирии якҷояи нарх ва сифати худро дар як вақт бароиМаводи рӯйпӯши Чин, Диоксиди титан, Ширкати мо рӯҳияи "навоварӣ, ҳамоҳангӣ, кори гурӯҳӣ ва мубодила, пайраҳаҳо, пешрафти прагматикӣ" -ро дастгирӣ мекунад. Ба мо имконият диҳед ва мо қобилияти худро исбот мекунем. Бо кумаки неки шумо мо боварӣ дорем, ки мо метавонем бо шумо ояндаи дурахшонро якҷоя созем.

Тавсифи Маҳсулот

Композитҳои карбон / карбон(минбаъд «C / C ё CFC") як намуди маводи таркибест, ки ба карбон асос ёфтааст ва бо нахи карбон ва маҳсулоти он мустаҳкам карда шудааст (преформаи нахи карбон). Он ҳам инерсияи карбон ва ҳам қувваи баланди нахи карбон дорад. Он дорои хосиятҳои хуби механикӣ, муқовимат ба гармӣ, муқовимат ба зангзанӣ, сустшавӣ ва гузариши гармӣ ва барқ ​​​​

CVD-SiCмолидани дорои хусусиятҳои сохтори якхела, маводи паймон, муқовимати ҳарорати баланд, муқовимати оксидшавӣ, покии баланд, муқовимати кислота ва сілтӣ ва реагенти органикӣ, бо хосиятҳои физикӣ ва химиявии устувор.

Дар муқоиса бо маводи графити тоза, графит дар 400С ба оксидшавӣ оғоз мекунад, ки дар натиҷаи оксидшавӣ ба талафоти хок оварда мерасонад, ки боиси ифлосшавии муҳити атроф ба дастгоҳҳои периферӣ ва камераҳои вакуумӣ мегардад ва ифлосшавии муҳити тозагии баландро зиёд мекунад.

Аммо, молидани SiC метавонад устувории физикӣ ва химиявиро дар 1600 дараҷа нигоҳ дорад, Он дар саноати муосир, махсусан дар саноати нимноқилҳо васеъ истифода мешавад.

Ширкати мо бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо хидматрасонии раванди пӯшиши SiC-ро пешниҳод мекунад, то газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и тоза, молекулаҳои дар рӯи маводи пӯшида ҷойгиршуда, ташаккули қабати муҳофизатии SIC. SIC-и ташкилшуда ба пойгоҳи графит сахт пайваст шуда, ба пойгоҳи графит хосиятҳои махсус медиҳад ва ба ин васила сатҳи графитро паймон, бе порозия, муқовимат ба ҳарорати баланд, муқовимат ба зангзанӣ ва муқовимати оксидшавӣ месозад.

 Коркарди пӯшиши SiC дар ҳассосҳои сатҳи графит MOCVD

Хусусиятҳои асосӣ:

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд:

муқовимати оксидшавӣ ҳанӯз ҳам хеле хуб аст, вақте ки ҳарорат то 1600 С баланд аст.

2. тозагии баланд: дод аз ҷониби таҳшин бухори кимиёвӣ дар шароити chlorination ҳарорати баланд.

3. Муқовимати эрозия: сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.

4. Муқовимат ба зангзанӣ: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.

 

Хусусиятҳои асосии Coatings CVD-SIC:

SiC-CVD

Зичии

(г/ссб)

3.21

Қувваи флексия

(Мпа)

470

Тавсеаи гармидиҳӣ

(10-6/К)

4

Қобилияти гармидиҳӣ

(Вт/мК)

300

Тасвирҳои муфассал

Коркарди пӯшиши SiC дар ҳассосҳои сатҳи графит MOCVDКоркарди пӯшиши SiC дар ҳассосҳои сатҳи графит MOCVDКоркарди пӯшиши SiC дар ҳассосҳои сатҳи графит MOCVDКоркарди пӯшиши SiC дар ҳассосҳои сатҳи графит MOCVDКоркарди пӯшиши SiC дар ҳассосҳои сатҳи графит MOCVD

Маълумоти ширкат

111

Таҷҳизоти заводӣ

222

Анбор

333

Сертификатсияҳо

Сертификатсия 22

 


  • гузашта:
  • Баъдӣ:

  • МАХСУЛОТИ ТАМОМИ

    Чат онлайни WhatsApp!