Интиқолдиҳандаҳои графитии SiC бо пӯшиши MOCVD Wafer,Ҳассосиятҳои графитӣбарои SiC Epitaxy,
Карбон ҳассосҳоро таъмин мекунад, Ҳассосиятҳои эпитаксияи графитӣ, Ҳассосиятҳои графитӣ, Ҳабси MOCVD, Сусепторҳои вафли,

Кабати CVD-SiC дорои хусусиятҳои сохтори якхела, маводи паймон, муқовимати ҳарорати баланд, муқовимат ба оксидшавӣ, тозагии баланд, муқовимати кислота ва сілтӣ ва реагенти органикӣ, бо хосиятҳои устувори физикӣ ва химиявӣ мебошад.

Дар муқоиса бо маводи графити тоза, графит дар 400С ба оксидшавӣ оғоз мекунад, ки дар натиҷаи оксидшавӣ ба талафоти хок оварда мерасонад, ки боиси ифлосшавии муҳити атроф ба дастгоҳҳои периферӣ ва камераҳои вакуумӣ мегардад ва ифлосшавии муҳити тозагии баландро зиёд мекунад.

Аммо, молидани SiC метавонад устувории физикӣ ва химиявиро дар 1600 дараҷа нигоҳ дорад, Он дар саноати муосир, махсусан дар саноати нимноқилҳо васеъ истифода мешавад.

Ширкати мо бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо хидматрасонии раванди пӯшиши SiC-ро пешниҳод мекунад, то газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и тоза, молекулаҳои дар рӯи маводи пӯшида ҷойгиршуда, ташаккули қабати муҳофизатии SIC. SIC-и ташкилшуда ба пойгоҳи графит сахт пайваст шуда, ба пойгоҳи графит хосиятҳои махсус медиҳад ва ба ин васила сатҳи графитро паймон, бе порозия, муқовимат ба ҳарорати баланд, муқовимат ба зангзанӣ ва муқовимати оксидшавӣ месозад.

Ариза:

Хусусиятҳои асосӣ:

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд:

муқовимати оксидшавӣ ҳанӯз хеле хуб аст, вақте ки ҳарорат то 1700 С баланд аст.

2. тозагии баланд: аз ҷониби таҳшин бухори кимиёвӣ дар шароити chlorination ҳарорати баланд дод.

3. Муқовимати эрозия: сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.

4. Муқовимат ба зангзанӣ: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.

Хусусиятҳои асосии Coatings CVD-SIC:

Қобилияти таъминот:

10000 дона / дона дар як моҳ
Бастабандӣ ва таҳвил:
Бастабандӣ: Бастаи стандартӣ ва қавӣ
Халтаи полиэтиленӣ + қуттӣ + картон + паллет
Порт:
Нинбо/Шенчжен/Шанхай
Вақти иҷрошуда: