Графити пӯшонидани SiC MOCVD Интиқолдиҳандаҳои вафли, Сусепторҳои Графит бароиSiC Epitaxy,
Карбон ҳассосҳоро таъмин мекунад, Ҳассосиятҳои эпитаксияи графитӣ, Субстратҳои дастгирии графит, Ҳабси MOCVD, SiC Epitaxy, Сусепторҳои вафли,
Бартариҳои махсуси ҳассосиятҳои графитӣ бо SiC-и мо дорои тозагии бениҳоят баланд, рӯйпӯши якхела ва мӯҳлати хизмати аъло мебошанд. Онҳо инчунин муқовимати баланди кимиёвӣ ва хосиятҳои устувории гармиро доранд.
Сарпӯши SiC аз субстрати Графит барои барномаҳои нимноқил як қисмеро бо тозагии олӣ ва муқовимат ба атмосфераи оксидкунанда истеҳсол мекунад.
CVD SiC ё CVI SiC ба Графити қисмҳои тарроҳии оддӣ ё мураккаб истифода мешавад. Лампангро дар ғафсии гуногун ва ба қисмҳои хеле калон истифода бурдан мумкин аст.
Вижагиҳо:
· Муқовимати аълои зарбаи гармӣ
· Муқовимати аъло ба зарбаи ҷисмонӣ
· Муқовимати аъло ба химиявӣ
· Тозагии олӣ
· Мавҷудият дар шакли мураккаб
· Дар зери атмосфераи оксидшаванда истифода мешавад
Ариза:
Хусусиятҳои хоси маводи графити асосӣ:
Зичии намоён: | 1,85 г/см3 |
Муқовимати барқ: | 11 мкм |
Қувваи флексия: | 49 МПа (500кгф/см2) |
Сахтии соҳил: | 58 |
Аш: | <5 саҳм |
Қобилияти гармидиҳӣ: | 116 Вт/мК (100 ккал/мсоат-℃) |
Карбон ҳассосҳоро таъмин мекунадва ҷузъҳои графитӣ барои ҳама реакторҳои ҷорӣ эпитаксия. Портфели мо дорои ҳассосҳои баррел барои воҳидҳои татбиқшаванда ва LPE, ҳассосиятҳои панкейк барои агрегатҳои LPE, CSD ва Gemini ва ҳассосиятҳои ягонаи пластинка барои воҳидҳои амалӣ ва ASM мебошад. Бо омезиши шарикии қавӣ бо OEM-ҳои пешқадам, таҷрибаи мавод ва ноу-хауи истеҳсолӣ, SGL тарҳи оптималии барномаи худро пешниҳод мекунад.