Сарпӯши SiCСубстрати графитӣ барои нимноқил, Пӯшидани карбиди кремний,Ҳабси MOCVD,
Субстрати графитӣ, Субстрати графитӣ барои нимноқил, Ҳабси MOCVD, Сарпӯши карбиди кремний,

Бартариҳои махсуси ҳассосиятҳои графитӣ бо SiC-и мо дорои тозагии бениҳоят баланд, рӯйпӯши якхела ва мӯҳлати хизмати аъло мебошанд. Онҳо инчунин муқовимати баланди кимиёвӣ ва хосиятҳои устувории гармиро доранд.

Сарпӯши SiCСубстрати графитӣ барои нимноқилбарномаҳо як қисми дорои тозагии олӣ ва муқовимат ба атмосфераи оксидкунанда истеҳсол мекунанд.
CVD SiC ё CVI SiC ба Графити қисмҳои тарроҳии оддӣ ё мураккаб истифода мешавад. Лампангро дар ғафсии гуногун ва ба қисмҳои хеле калон истифода бурдан мумкин аст.

Вижагиҳо:
· Муқовимати аълои зарбаи гармӣ
· Муқовимати аъло ба зарбаи ҷисмонӣ
· Муқовимати аъло ба химиявӣ
· Тозагии олӣ
· Мавҷудият дар шакли мураккаб
· Дар зери атмосфераи оксидшаванда истифода мешавад

Хусусиятҳои хоси маводи графити асосӣ:

Карбон барои ҳама реакторҳои эпитаксионии ҷорӣ ҳассос ва ҷузъҳои графитро таъмин мекунад. Портфели мо дорои ҳассосҳои баррел барои воҳидҳои татбиқшаванда ва LPE, ҳассосиятҳои панкейк барои агрегатҳои LPE, CSD ва Gemini ва ҳассосиятҳои ягонаи пластинка барои воҳидҳои амалӣ ва ASM мебошад. Бо омезиши шарикии қавӣ бо OEM-ҳои пешқадам, таҷрибаи мавод ва ноу-хауи истеҳсолӣ, SGL тарҳи оптималии барномаи худро пешниҳод мекунад.

Маҳсулоти бештар