ВАФЛИ СИЛИКОН
аз sitronic
Aвафлияк буридаи кремнийи тақрибан 1 миллиметр ғафсӣ аст, ки ба шарофати расмиёти аз ҷиҳати техникӣ хеле серталаб сатҳи ниҳоят ҳамвор дорад. Истифодаи минбаъда муайян мекунад, ки кадом тартиби парвариши кристалл бояд истифода шавад. Масалан, дар процесси Чочральский кремнийи поликристалиро гудохта, ба кремнийи гудохта кристалли тухмии тунуки қалам тар карда мешавад. Пас аз он кристали тухмӣ гардиш карда, оҳиста ба боло кашида мешавад. Як колосси хеле вазнин, як кристалл, натиҷа медиҳад. Бо илова кардани воҳидҳои хурди допантҳои тозаи баланд хосиятҳои электрикии монокристаллро интихоб кардан мумкин аст. Кристаллҳо мувофиқи мушаххасоти муштарӣ допинг карда мешаванд ва сипас сайқал дода, ба бурида бурида мешаванд. Пас аз марҳилаҳои гуногуни истеҳсолӣ, муштарӣ вафли мушаххаси худро дар бастабандии махсус мегирад, ки ба муштарӣ имкон медиҳад, кивафлифавран дар хати истеҳсолии худ.
Имрӯз, қисми зиёди монокристалҳои кремний аз рӯи раванди Чочральски парвариш карда мешаванд, ки гудохтани кремнийи поликристалии баландсифатро дар тигели кварси гиперсоф ва илова кардани допант (одатан B, P, As, Sb) дар бар мегирад. Кристали тухмии тунуки монокристаллӣ ба кремний гудохта карда мешавад. Пас аз ин кристали борик як кристали калони CZ ба вуҷуд меояд. Танзими дақиқи ҳарорат ва ҷараёни кремнийи гудохта, гардиши кристалл ва тигель, инчунин суръати кашидани кристалл ба ҳосили хеле баландсифати силикии монокристаллӣ оварда мерасонад.
Вақти фиристодан: июн-03-2021