Раванди афзоиши кристаллҳои карбиди кремний ва технологияи таҷҳизот

1. Масири технологияи афзоиши булӯр SiC

PVT (усули сублиматсия),

HTCVD (CVD ҳарорати баланд),

LPE(усули марҳилаи моеъ)

се маъмуландКристалл SiCусулҳои афзоиш;

Усули аз ҳама эътирофшуда дар саноат усули PVT мебошад ва зиёда аз 95% як кристаллҳои SiC бо усули PVT парвариш карда мешаванд;

саноатйКристалл SiCкӯраи афзоиш масири асосии технологияи PVT-и саноатро истифода мебарад.

2. Раванди афзоиши кристаллҳои SiC

Синтези хока-табобати кристаллҳои тухмӣ-афзоиши кристалл-тавсф кардани зарф-вафликоркард.

3. Усули PVT барои парваришКристаллҳои SiC

Ашьёи хоми SiC дар поёни тигели графит ва кристалл тухмии SiC дар болои тигели графит ҷойгир шудааст. Бо танзими изолятсия, ҳарорати ашёи хоми SiC баландтар ва ҳарорат дар кристалл тухмӣ пасттар аст. Ашёи хоми SiC дар ҳарорати баланд сублиматсия мешавад ва ба моддаҳои фазаи газ таҷзия мешавад, ки онҳо ба кристаллҳои тухмӣ бо ҳарорати паст интиқол дода мешаванд ва кристалл шуда, кристаллҳои SiC-ро ташкил медиҳанд. Раванди асосии афзоиш се равандро дар бар мегирад: таҷзия ва сублиматсияи ашёи хом, интиқоли масса ва кристаллизатсия дар кристаллҳои тухмӣ.

Таҷзия ва сублиматсияи ашёи хом:

SiC(S)= Si(g)+C(S)

2SiC(S)= Si(г)+ SiC2(г)

2SiC(S)=C(S)+SiC2(г)

Ҳангоми интиқоли масса, буғи Si минбаъд бо девори тигелии графит реаксия карда, SiC2 ва Si2C -ро ташкил медиҳад:

Si(г)+2C(S) =SiC2(г)

2Si(г) +C(S)=Si2C(г)

Дар сатҳи кристаллҳои тухмӣ, се марҳилаи газ тавассути ду формулаи зерин афзоиш меёбанд, то кристаллҳои карбиди кремний тавлид кунанд:

SiC2_(г)+Si2C_(г)=3SiC_(с)

Si_(г)+SiC2_(г)=2SiC_(S)

4. Усули PVT ба воя SiC кристалл афзоиши таҷҳизоти технологияи масири

Дар айни замон, гармидиҳии индуксионӣ як масири технологияи маъмул барои печҳои афзоиши булӯр усули PVT SiC мебошад;

Гармидиҳии индуксионии берунии катрон ва гармкунии муқовимати графит самти рушди он мебошандКристалл SiCпечҳои афзоиш.

5. 8-дюймаи SiC кӯраи афзоиши гармидиҳӣ induction

(1) Гарм кардантигели графитй унсури гармидиҳӣтавассути индуксияи майдони магнитӣ; танзими майдони ҳарорат бо роҳи танзими қувваи гармидиҳӣ, мавқеи катрон ва сохтори изолятсия;

(2) Гарм кардани тигели графитӣ тавассути гармкунии муқовимат ба графит ва интиқоли радиатсияи гармӣ; идора кардани майдони харорат бо рохи танзим кардани чараёни гармкунаки графитй, структураи гармкунак ва назорати чараёни минтакавй;