Ахбор

Пойгоҳҳои маъмулан истифодашаванда барои эпитаксияи фазаи буғ
аз тарафи админ 24-07-30
Дар ҷараёни эпитаксияи фазаи буғӣ (VPE), нақши поя аз дастгирии субстрат ва таъмини гармии якхела дар ҷараёни афзоиш иборат аст. Намудҳои гуногуни пояҳо барои шароити гуногуни афзоиш ва системаҳои моддӣ мувофиқанд. Инҳоянд баъзе аз ...
Бештар
Мухлати хизмати маснуоти карбиди танталро чй тавр дароз кардан мумкин аст?
аз тарафи админ 24-07-26
Маҳсулоти карбиди танталӣ як маводи маъмулан баланд-ҳарорати истифодашаванда мебошанд, ки бо муқовимат ба ҳарорати баланд, муқовимат ба зангзанӣ, муқовимат ба фарсудашавӣ ва ғайра тавсиф карда мешаванд. Аз ин рӯ, онҳо ба таври васеъ дар соҳаҳои кайҳонӣ, кимиёвӣ ва энергетика истифода мешаванд. Барои пеш ...
Бештар
Фарқи байни PECVD ва LPCVD дар таҷҳизоти нимноқилҳои CVD чист?
аз тарафи админ 24-07-24
Ҷойгиркунии буғи кимиёвӣ (CVD) ба раванди гузоштани филми сахт дар рӯи пласти кремний тавассути реаксияи химиявии омехтаи газ дахл дорад. Мувофиқи шароити гуногуни реаксия (фишор, прекурсор), онро ба таҷҳизоти гуногун тақсим кардан мумкин аст...
Бештар
Хусусиятҳои қолаби графити карбиди кремний
аз ҷониби администратор дар 24-07-18
Графити кремнийи карбиди қолаби графити кремнийи карбиди кремний як қолаби таркибӣ бо карбиди кремний (SiC) ҳамчун асос ва графит ҳамчун маводи арматура мебошад. Ин қолаб дорои гузариши аълои гармӣ, муқовимат ба ҳарорати баланд, муқовимат ба зангзанӣ ва ...
Бештар
Раванди нимноқилӣ раванди пурраи фотолитография
аз ҷониби администратор дар 24-07-16
Истеҳсоли ҳар як маҳсулоти нимноқил садҳо равандро талаб мекунад. Мо тамоми раванди истеҳсолиро ба ҳашт марҳила тақсим мекунем: коркарди вафли-оксидшавӣ-фотолитография-этчинг-плёнкаи тунук-плёнкаи тунукӣ-имплантатсияи эпитаксиалӣ-диффузия-ион. Барои кӯмак ба шумо ...
Бештар
4 миллиард! SK Hynix сармоягузории пешрафтаи бастабандии нимноқилро дар Парки тадқиқоти Purdue эълон мекунад
аз ҷониби администратор дар 24-07-09
Вест Лафайетт, Индиана - SK hynix Inc. эълон кард, ки нақшаи сармоягузории тақрибан 4 миллиард долларро барои сохтани як истеҳсоли пешрафтаи бастабандӣ ва як иншооти R&D барои маҳсулоти зеҳни сунъӣ дар Парки Тадқиқотии Purdue. Таъсиси як пайванди калидӣ дар занҷири таъминоти нимноқилҳои ИМА дар Ғарби Лафайетт...
Бештар
Технологияи лазерӣ боиси табдил додани технологияи коркарди субстратҳои кремний карбиди мегардад
аз ҷониби администратор дар 24-07-08
1. Шарҳи технологияи коркарди субстрат кремний карбиди Қадамҳои коркарди субстрат карбиди кремний аз инҳо иборатанд: дастос кардани доираи берунӣ, буридан, буридан, дастос кардан, сайқал додан, тоза кардан ва ғайра. Бурида як қадами муҳим дар субстрати нимноқилӣ мебошад ...
Бештар
Маводҳои асосии майдони гармӣ: маводи таркибии C/C
аз ҷониби администратор дар 24-07-01
Композитҳои карбон-карбон як намуди композитҳои нахи карбон мебошанд, ки нахи карбон ҳамчун маводи арматура ва карбон ҳамчун маводи матритса гузошта шудаанд. Матритсаи композитҳои C/C карбон аст. Азбаски он қариб пурра аз карбонҳои элементарӣ иборат аст, он муқовимати аълои ҳарорати баланд дорад ...
Бештар
Се усули асосии афзоиши булӯр SiC
аз ҷониби администратор дар 24-07-01
Тавре ки дар расми 3 нишон дода шудааст, се усули бартаридошта вуҷуд доранд, ки ҳадафи он як кристали SiC-ро бо сифат ва самаранокии баланд таъмин мекунанд: эпитаксияи фазаи моеъ (LPE), интиқоли буғи физикӣ (PVT) ва таҳшиншавии бухори кимиёвӣ (HTCVD). PVT як раванди хуб ба роҳ мондашуда барои тавлиди гуноҳи SiC аст...
Бештар