Асоси суфтакунандаи санги SIC дорои хусусиятҳои муқовимати ҳарорати баланд, муқовимати оксидшавӣ, покии баланд, кислотаҳо, сілтҳо, намакҳо ва реагентҳои органикӣ ва функсияи устувори физикӣ ва химиявӣ мебошад. Дар муқоиса бо графити тозагии баланд, графити тозаи баланд дар 400 ℃ оксидшавии шадидро оғоз мекунад, ҳатто агар ҳарорат баланд набошад ҳам, истифодаи дарозмуддат аз сабаби оксидшавӣ ва хока, такя ба қисмҳои корӣ ва ҷадвал ё ифлосшавии истифодаи муҳити зист хоҳад буд. , аз ин рӯ, пойгоҳи графити пӯшиши SIC ҳамчун таҷҳизоти нави MOCVD, раванди синтеризатсияи хока тадриҷан графити тозагии баландро иваз мекунад.
Хусусиятҳои асосӣ:
1. Антиоксиданти ҳарорати баланд: антиоксидант, функсияи антиоксидант ҳанӯз хеле хуб аст, вақте ки ҳарорат то 1600 ℃ баланд аст;
2. тозагии баланд: бо усули пошидани буғи кимиёвӣ дар ҳолати хлоризатсияи ҳарорати баланд гирифта шудааст;
3. Муқовимати эрозия: сахтии баланд, сатҳи зич, зарраҳои хуб;
Муқовимат ба зангзанӣ: кислотаҳо, сілтҳо, намакҳо ва реагентҳои органикӣ;
5. Қабати рӯизаминии SIC карбиди β-силикон аст, ки мукааби рӯи марказӣ мебошад.
Вақти фиристодан: феврал-20-2023