Интиқолдиҳандаи ICP Etch

Тавсифи кӯтоҳ:

Ҷои пайдоиш:Хитой

Сохтори кристаллӣ:Марҳилаи FCCβ

Зичӣ:3,21 г/см;

Сахтӣ:2500 Викер;

Андозаи ғалла:2 ~ 10 мкм;

тозагии кимиёвӣ:99,99995%;

Иқтидори гармӣ:640J·кг-1·К-1;

Ҳарорати сублиматсия:2700 ℃;

Қувваи Felexural:415 Мпа (RT 4-Нукта);

Модули ҷавон:430 Gpa (4pt хам, 1300 ℃);

Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE):4,5 10-6К-1;

Қобилияти гармидиҳӣ:300（Вт/МК）;

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Тавсифи Маҳсулот

Ширкати мо бо усули CVD дар рӯи графит, сафол ва дигар маводҳо хидматрасонии раванди пӯшиши SiC-ро пешниҳод мекунад, то газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и тоза, молекулаҳои дар рӯи маводи пӯшида ҷойгиршуда, ташаккули қабати муҳофизатии SIC.

Хусусиятҳои асосӣ:

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд:

муқовимати оксидшавӣ ҳанӯз хеле хуб аст, вақте ки ҳарорат то 1600 С баланд аст.

2. тозагии баланд: аз ҷониби таҳшин бухори кимиёвӣ дар шароити chlorination ҳарорати баланд дод.

3. Муқовимати эрозия: сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.

4. Муқовимат ба зангзанӣ: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.

Мушаххасоти асосии CVD-SIC Coating

Хусусиятҳои SiC-CVD
Сохтори кристаллӣ	Марҳилаи β FCC
Зичии	г/см ³	3.21
Сахтӣ	Сахтии Викерс	2500
Андозаи ғалла	мкм	2~10
Тозагии химиявӣ	%	99.99995
Иқтидори гармӣ	J·кг-1 ·К-1	640
Ҳарорати сублиматсия	℃	2700
Қувваи Felexural	МПа (RT 4-нуқта)	415
Модули ҷавон	Gpa (4pt хам, 1300 ℃)	430
Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE)	10-6К-1	4.5
Қобилияти гармидиҳӣ	(Вт/мК)	300