тозагии баланд 8 дюйм кремний вафли

Тасвири баландсифати 8 дюймаи кремний вафли

Тавсифи кӯтоҳ:

Вафли кремнийи 8-дюймаи тозагии баланди VET Energy интихоби беҳтарини шумо барои истеҳсоли нимноқилҳо мебошанд. Ин пластинкахо бо истифода аз технологияи пешрафта сохта шудаанд, ки сифати аълои булӯр ва ҳамвории рӯизаминӣ доранд ва онҳоро барои истеҳсоли дастгоҳҳои гуногуни микроэлектронӣ мувофиқ мегардонанд.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Вафли 8-дюймаи кремнийии VET Energy дар электроникаи энергетикӣ, сенсорҳо, микросхемаҳои интегралӣ ва дигар соҳаҳо васеъ истифода мешаванд. Ҳамчун як пешво дар саноати нимноқилҳо, мо ӯҳдадор ҳастем, ки маҳсулоти баландсифати Si Wafer-ро барои қонеъ кардани ниёзҳои афзояндаи мизоҷони худ таъмин кунем.

Илова ба Si Wafer, VET Energy инчунин доираи васеи маводи субстрати нимноқилро таъмин мекунад, аз ҷумла SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer ва ғайра. Хатти маҳсулоти мо инчунин маводҳои нави нимноқилҳои васеъ ба монанди Gallium Oxide Ga2O3 ва AlN-ро дар бар мегирад. Wafer, дастгирии қавӣ барои рушди дастгоҳҳои электронии насли оянда.

VET Energy дорои таҷҳизоти пешрафтаи истеҳсолӣ ва системаи мукаммали идоракунии сифат мебошад, то кафолат диҳад, ки ҳар як вафли ба стандартҳои қатъии саноат мувофиқат кунад. Маҳсулоти мо на танҳо хосиятҳои аълои электрикӣ доранд, балки инчунин қобилияти хуби механикӣ ва устувории гармиро доранд.

VET Energy ба муштариён ҳалли фармоишии вафли, аз ҷумла вафли андоза, намуд ва консентратсияи допинги гуногунро пешкаш мекунад. Илова бар ин, мо инчунин дастгирии техникии касбӣ ва хидматрасонии пас аз фурӯшро пешкаш мекунем, то ба мизоҷон дар ҳалли мушкилоти мухталифе, ки дар ҷараёни истеҳсолот дучор мешаванд, кӯмак расонем.

МАСЪАЛАҲОИ ВАФЕРИНГ

*n-Pm=n-навъи Pm-Дараҷа,n-Ps=n-навъи Ps-дара,Sl=Нимзолятсия

Адад	8-дюйм	6-дюйм			4-дюйм
Адад	нП	н-Пм	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6ум	≤6ум
Камон(GF3YFCD) -Арзиши мутлақ	≤15мкм	≤15мкм	≤25мкм		≤15мкм
Варп (GF3YFER)	≤25мкм	≤25мкм	≤40мкм		≤25мкм
LTV (SBIR) -10ммх10мм	<2мкм
Edge Wafer	Бевор кардан

РАФТИ РУИ

*n-Pm=n-навъи Pm-Дараҷа,n-Ps=n-навъи Ps-дара,Sl=Нимзолятсия

Адад	8-дюйм	6-дюйм			4-дюйм
	нП	н-Пм	n-Ps	SI	SI
Андозаи рӯизаминӣ	Лаҳистони оптикии дуҷониба, Si- Face CMP
Ноҳамвории рӯизаминӣ	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0,5 нм			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Чипҳои Edge	Ягон иҷозат дода намешавад (дарозӣ ва паҳнӣ≥0,5мм)
Дохилшавӣ	Ҳеҷ иҷозат дода намешавад
Харошидан (Si-Face)	Миқдори ≤5, Ҷамъоварӣ Дарозӣ≤0,5×диаметри вафли	Миқдори ≤5, Ҷамъоварӣ Дарозӣ≤0,5×диаметри вафли			Миқдори ≤5, Ҷамъоварӣ Дарозӣ≤0,5×диаметри вафли
Тарқишҳо	Ҳеҷ иҷозат дода намешавад
Истиснои канор	3мм