Фармоишгар баланд покии SiC Камушки Графит гармкунак унсури гармидиҳӣ

Фармоишгари баландсифати SiC-и гармкунаки графити гармкунаки элементҳои гармидиҳӣ тасвири пешниҳодшуда

Тавсифи кӯтоҳ:

Гармкунаки графитӣ як навъ маводи гармидиҳии барқӣ мебошад, ки тавассути гарм кардани маводи графитӣ бо роҳи барқӣ гармӣ тавлид мекунад, ки одатан аз графит ва сафолҳо сохта мешаванд. Сохтори мавҷнокаш гармиро ба таври самаранок пароканда карда метавонад ва дар саноат, сохтмон, кишоварзӣ ва ҳаёти ҳаррӯза васеъ истифода мешавад. Аз сабаби гузариши хуби гармӣ ва устувории ҳарорати баланд, элементи гармидиҳии графитӣ дар саноат васеъ истифода мешавад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Хусусиятҳои асосии гармкунаки графитӣ:

1. яксон будани сохтори гармидињї.

2. гузаронандагии хуби барқ ва сарбории баланди барқ.

3. муқовимат ба зангзании.

4. беоксидшавї.

5. тозагии баланди кимиёвӣ.

6. қувваи механикии баланд.

Бартарии сарфакоронаи энергия, арзиши баланд ва нигоҳдории кам мебошад. Мо метавонем антиоксидшавӣ ва дарозмуддати графитӣ, қолаби графитӣ ва ҳама қисмҳои гармкунаки графитӣ истеҳсол кунем.

Параметрҳои асосии гармкунаки графитӣ

Мушаххасоти техникӣ	Semicera-M3
Зичии масса (г/см3)	≥1,85
Мазмуни хокистар (PPM)	≤500
Сахтии соҳил	≥45
Муқовимати хос (μ.Ω.m)	≤12
Қувваи флексия (Мпа)	≥40
Қувваи фишор (Мпа)	≥70
Макс. Андозаи дона (мкм)	≤43
Коэффисиенти васеъшавии гармии мм/°С	≤4,4*10-6

VET Energy аст баистеҳсолкунандаи воқеии маҳсулоти фармоишии графит ва карбиди кремний бо рӯйпӯши CVD,таъмин карда метавонадгуногунқисмҳои фармоишӣ барои саноати нимноқилӣ ва фотоэлектрикӣ. OГурӯҳи техникии шумо аз муассисаҳои олии тадқиқотии ватанӣ меояд, метавонад ҳалли бештари моддиро пешниҳод кунадбарои шумо.

Мо пайваста равандҳои пешрафтаро барои таъмини маводҳои пешрафта таҳия мекунем,ватехнологияи истисноии патентиро кор карда баромаданд, ки он метавонад пайванди байни рӯйпӯш ва субстратро сахттар ва ба ҷудошавӣ камтар моил кунад.

Fхусусиятҳои маҳсулоти мо:

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд то 1700℃.
2. тозагии баланд ваякрангии гармидиҳӣ
3. Муқовимат ба зангзании аъло: кислота, сілтӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.
4. Сахтии баланд, сатҳи паймон, зарраҳои хуб.
5. Муддати хизмати дарозтар ва пойдору бештар

CVD SiC薄膜基本物理性能 Хусусиятҳои асосии физикии CVD SiCпӯшиш
性质 / Амвол	典型数值 / Арзиши маъмулӣ
晶体结构 / Сохтори Кристалл	Марҳилаи β FCC多晶，主要为（111）取向
密度 / Зичии	3,21 г/см³
硬度 / Сахтӣ	2500 维氏硬度（500г бор）
晶粒大小 / Андозаи гандум	2 ~ 10 мкм
纯度 / Тозагии кимиёвӣ	99.99995%
热容 / Иқтидори гармӣ	640 Йкг^-1· К^-1
升华温度 / Ҳарорати сублиматсия	2700℃
抗弯强度 / Қувваи флексия	415 МПа ҶТ 4-нуқта
杨氏模量 / Модули ҷавон	430 Gpa 4pt хам, 1300 ℃
导热系数 / Термалгузаронанда	300Вт·м^-1· К^-1
热膨胀系数 / Тавсеаи гармидиҳӣ (CTE)	4,5×10^-6K^-1