Our Primary goal is to offer our clients a serious and response business relationship, provide personalized attention to all of them for Quality Inspection for China Hot Sale హై క్వాలిటీ కస్టమైజ్డ్ మెటల్ మెల్టింగ్ గ్రాఫైట్ ఇంగోట్ మౌల్డ్ , We warmly welcome close friends from all walks of daily life to పరస్పర సహకారం కోరుకుంటారు మరియు మరింత అద్భుతమైన మరియు అద్భుతమైన రేపటిని నిర్మించుకోండి.
మా ఖాతాదారులకు తీవ్రమైన మరియు బాధ్యతాయుతమైన వ్యాపార సంబంధాన్ని అందించడం, వారందరికీ వ్యక్తిగతీకరించిన శ్రద్ధను అందించడం మా ప్రాథమిక లక్ష్యంచైనా నిరంతర కాస్టింగ్ గ్రాఫైట్ జిగ్, రౌండ్ పూత గ్రాఫైట్ అచ్చు, మేము మీతో వ్యాపారం చేసే అవకాశాన్ని స్వాగతిస్తున్నాము మరియు మా ఉత్పత్తులు మరియు పరిష్కారాల యొక్క మరిన్ని వివరాలను జోడించడంలో ఆనందం పొందగలమని ఆశిస్తున్నాము. అద్భుతమైన నాణ్యత, పోటీ ధర, సమయస్ఫూర్తితో కూడిన డెలివరీ మరియు నమ్మదగిన సేవకు హామీ ఇవ్వబడుతుంది. తదుపరి విచారణల కోసం దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించడానికి సంకోచించకండి.
కార్బన్ / కార్బన్ మిశ్రమాలు(ఇకపైగా సూచిస్తారు"C/C లేదా CFC”) అనేది ఒక రకమైన మిశ్రమ పదార్థం, ఇది కార్బన్‌పై ఆధారపడి ఉంటుంది మరియు కార్బన్ ఫైబర్ మరియు దాని ఉత్పత్తుల ద్వారా బలోపేతం చేయబడుతుంది (కార్బన్ ఫైబర్ ప్రిఫార్మ్). ఇది కార్బన్ యొక్క జడత్వం మరియు కార్బన్ ఫైబర్ యొక్క అధిక బలం రెండింటినీ కలిగి ఉంటుంది. ఇది మంచి యాంత్రిక లక్షణాలు, వేడి నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత, ఘర్షణ డంపింగ్ మరియు ఉష్ణ మరియు విద్యుత్ వాహకత లక్షణాలను కలిగి ఉంది.
CVD-SiCపూత ఏకరీతి నిర్మాణం, కాంపాక్ట్ మెటీరియల్, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, ఆక్సీకరణ నిరోధకత, అధిక స్వచ్ఛత, యాసిడ్ & క్షార నిరోధకత మరియు సేంద్రీయ కారకం, స్థిరమైన భౌతిక మరియు రసాయన లక్షణాలతో లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది.
అధిక-స్వచ్ఛత గ్రాఫైట్ పదార్థాలతో పోలిస్తే, గ్రాఫైట్ 400C వద్ద ఆక్సీకరణం చెందడం ప్రారంభమవుతుంది, ఇది ఆక్సీకరణ కారణంగా పొడిని కోల్పోయేలా చేస్తుంది, ఫలితంగా పరిధీయ పరికరాలు మరియు వాక్యూమ్ ఛాంబర్‌లకు పర్యావరణ కాలుష్యం ఏర్పడుతుంది మరియు అధిక స్వచ్ఛత వాతావరణంలో మలినాలను పెంచుతుంది.
అయినప్పటికీ, SiC పూత 1600 డిగ్రీల వద్ద భౌతిక మరియు రసాయన స్థిరత్వాన్ని నిర్వహించగలదు, ఇది ఆధునిక పరిశ్రమలో, ముఖ్యంగా సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.
మా కంపెనీ గ్రాఫైట్, సెరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై CVD పద్ధతి ద్వారా SiC పూత ప్రక్రియ సేవలను అందిస్తుంది, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక స్వచ్ఛత SiC అణువులను పొందేందుకు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద ప్రతిస్పందిస్తాయి, పూత పదార్థాల ఉపరితలంపై జమ చేసిన అణువులు, SIC రక్షణ పొరను ఏర్పరుస్తుంది. ఏర్పడిన SIC గ్రాఫైట్ బేస్‌తో దృఢంగా బంధించబడి, గ్రాఫైట్ బేస్‌కు ప్రత్యేక లక్షణాలను ఇస్తుంది, తద్వారా గ్రాఫైట్ యొక్క ఉపరితలం కాంపాక్ట్, సచ్ఛిద్రత-రహిత, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది.
ప్రధాన లక్షణాలు:
1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:
ఉష్ణోగ్రత 1600 C కంటే ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంది.
2. అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ స్థితిలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.
3. ఎరోషన్ నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, చక్కటి కణాలు.
4. తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
CVD-SIC కోటింగ్‌ల యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు:
| SiC-CVD | ||
| సాంద్రత | (g/cc)
| 3.21 |
| ఫ్లెక్చరల్ బలం | (Mpa)
| 470 |
| థర్మల్ విస్తరణ | (10-6/K) | 4
|
| ఉష్ణ వాహకత | (W/mK) | 300
|
