రియాక్షన్ సింటరింగ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ ప్రాసెసింగ్ టెక్నాలజీ గురించి మాట్లాడండి

రియాక్షన్-సింటెర్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ పింగాణీ పరిసర ఉష్ణోగ్రత వద్ద మంచి సంపీడన బలం, గాలి ఆక్సీకరణకు వేడి నిరోధకత, మంచి దుస్తులు నిరోధకత, మంచి ఉష్ణ నిరోధకత, సరళ విస్తరణ యొక్క చిన్న గుణకం, అధిక ఉష్ణ బదిలీ గుణకం, అధిక కాఠిన్యం, ఉష్ణ నిరోధకత మరియు విధ్వంసక, అగ్ని నివారణ మరియు ఇతర అధిక-నాణ్యత లక్షణాలు. వాహనాలు, మెకానికల్ ఆటోమేషన్, ఎకోలాజికల్ ఎన్విరాన్మెంటల్ ప్రొటెక్షన్, ఏరోస్పేస్ ఇంజనీరింగ్, ఇన్ఫర్మేషన్ కంటెంట్ ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలు, పవర్ ఎనర్జీ మరియు ఇతర రంగాలలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది, ఇది అనేక పారిశ్రామిక రంగాలలో ఖర్చుతో కూడుకున్న మరియు భర్తీ చేయలేని నిర్మాణ సెరామిక్స్‌గా మారింది.

ప్రెజర్‌లెస్ సింటరింగ్‌ను ఆశాజనక SiC కాల్సినేషన్ పద్ధతిగా పిలుస్తారు. వివిధ నిరంతర కాస్టింగ్ మెషీన్‌ల కోసం, ప్రెస్-ఫ్రీ సింటరింగ్‌ను సాలిడ్ ఫేజ్ కాల్సినేషన్ మరియు హై పెర్ఫార్మెన్స్ లిక్విడ్ ఫేజ్ కాల్సినేషన్‌గా విభజించవచ్చు. చాలా చక్కటి బీటా SiC పౌడర్‌లో తగిన B మరియు C (ఆక్సిజన్ కంటెంట్ 2% కంటే తక్కువ) జోడించడం ద్వారా, S. Proehazka 2020 నాటికి 98% కంటే ఎక్కువ సాపేక్ష సాంద్రతతో, Al2O3 మరియు Y2O3తో SIC కాల్సిన్డ్ బాడీలోకి సిన్టర్ చేయబడింది. సంకలితాలు. 1850-1950లో 0.5m-SiC (కొద్దిగా SiO2తో కణ ఉపరితలం) కాల్సిన్ చేయబడినది, SiC పింగాణీ సాంద్రత ప్రాథమిక సైద్ధాంతిక సాంద్రతలో 95% మించిపోయింది, ధాన్యం పరిమాణం చిన్నది మరియు సగటు పరిమాణం పెద్దది, ఇది 1.5μm.

రియాక్టివ్ సింటరింగ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ అనేది లిక్విడ్ ఫేజ్ లేదా హై పెర్ఫార్మెన్స్ లిక్విడ్ ఫేజ్‌తో పోరస్ స్ట్రక్చర్ బిల్లెట్‌ను ప్రతిబింబించే మొత్తం ప్రక్రియను సూచిస్తుంది, బిల్లెట్ నాణ్యతను మెరుగుపరచడం, బిలం రంధ్రం తగ్గించడం మరియు తుది ఉత్పత్తిని నిర్దిష్ట బలం మరియు డైమెన్షనల్ ఖచ్చితత్వంతో లెక్కించడం. ప్లూటోనియం-సిక్ పౌడర్ మరియు అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన గ్రాఫైట్‌ను ఒక నిర్దిష్ట నిష్పత్తిలో కలుపుతారు మరియు జుట్టు పిండాన్ని ఉత్పత్తి చేయడానికి సుమారు 1650 వరకు వేడి చేస్తారు. అదే సమయంలో, ఇది ద్రవ దశ Si ద్వారా ఉక్కులోకి చొచ్చుకుపోతుంది లేదా చొచ్చుకుపోతుంది, సిలికాన్ కార్బైడ్‌తో ప్రతిబింబించి ప్లూటోనియం-సిక్ ఏర్పడుతుంది మరియు ఇప్పటికే ఉన్న ప్లూటోనియం-సిక్ కణాలతో కలిసిపోతుంది. Si చొరబాటు తర్వాత, వివరణాత్మక సాపేక్ష సాంద్రత మరియు ప్యాక్ చేయని పరిమాణంతో రియాక్షన్ సిన్టర్డ్ బాడీని పొందవచ్చు. ఇతర సింటరింగ్ పద్ధతులతో పోలిస్తే, అధిక సాంద్రత కలిగిన ప్రతిచర్య ప్రక్రియలో సింటరింగ్ పరిమాణం పరివర్తన సాపేక్షంగా చిన్నది, వస్తువుల యొక్క సరైన పరిమాణాన్ని సృష్టించగలదు, అయితే calcined శరీరంపై SiC చాలా ఉంది, ప్రతిచర్య యొక్క అధిక ఉష్ణోగ్రత లక్షణాలు SiC పింగాణీ సిన్టర్డ్ అధ్వాన్నంగా ఉంటుంది. నాన్-ప్రెజర్ కాల్సిన్డ్ SiC సెరామిక్స్, హాట్ ఐసోస్టాటిక్ కాల్సిన్డ్ SiC సెరామిక్స్ మరియు రియాక్షన్ సింటెర్డ్ SiC సెరామిక్స్ విభిన్న లక్షణాలను కలిగి ఉంటాయి.

రియాక్టివ్ సింటరింగ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ తయారీదారులు: ఉదాహరణకు, కాల్సిన్డ్ రిలేటివ్ డెన్సిటీ మరియు బెండింగ్ స్ట్రెంగ్త్ స్థాయిలో SiC పింగాణీ, హాట్ ప్రెస్సింగ్ సింటరింగ్ మరియు హాట్ ఐసోస్టాటిక్ ప్రెస్సింగ్ కాల్సినేషన్ ఎక్కువగా ఉంటాయి మరియు రియాక్టివ్ సింటరింగ్ SiC సాపేక్షంగా తక్కువగా ఉంటుంది. అదే సమయంలో, కాల్సినేషన్ మాడిఫైయర్ మార్పుతో SiC పింగాణీ యొక్క భౌతిక లక్షణాలు మారుతాయి. SiC పింగాణీ యొక్క నాన్-ప్రెజర్ సింటరింగ్, హాట్ ప్రెస్ సింటరింగ్ మరియు రియాక్షన్ సింటరింగ్ మంచి ఆల్కలీన్ రెసిస్టెన్స్ మరియు యాసిడ్ రెసిస్టెన్స్ కలిగి ఉంటాయి, అయితే రియాక్షన్ సింటెర్డ్ SiC పింగాణీ HF మరియు ఇతర చాలా బలమైన యాసిడ్ తుప్పుకు బలహీనమైన ప్రతిఘటనను కలిగి ఉంటుంది. పరిసర ఉష్ణోగ్రత 900 కంటే తక్కువగా ఉన్నప్పుడు, అధిక ఉష్ణోగ్రత సింటెర్డ్ పింగాణీ కంటే చాలా SiC పింగాణీ యొక్క వంపు బలం గణనీయంగా ఎక్కువగా ఉంటుంది మరియు రియాక్టివ్ సింటెర్డ్ SiC పింగాణీ యొక్క వంపు బలం 1400 కంటే ఎక్కువగా పడిపోతుంది. (ఇది అకస్మాత్తుగా ఏర్పడుతుంది కాల్సిన్డ్ బాడీలో నిర్దిష్ట ఉష్ణోగ్రతకు మించి లామినేటెడ్ గ్లాస్ Si యొక్క బెండింగ్ బలం తగ్గుతుంది SiC సెరామిక్స్ ఒత్తిడి గణన లేకుండా మరియు వేడి స్థిరమైన స్టాటిక్ పీడనం కింద ప్రధానంగా సంకలిత రకాల ద్వారా ప్రభావితమవుతుంది.