లేజర్ సాంకేతికత సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్ ప్రాసెసింగ్ సాంకేతిక పరివర్తనకు దారితీస్తుంది

1. యొక్క అవలోకనంసిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలంప్రాసెసింగ్ టెక్నాలజీ

కరెంట్సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలం ప్రాసెసింగ్ దశలు: బయటి వృత్తాన్ని గ్రౌండింగ్ చేయడం, స్లైసింగ్, చాంఫరింగ్, గ్రైండింగ్, పాలిషింగ్, క్లీనింగ్ మొదలైనవి. సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్ ప్రాసెసింగ్‌లో స్లైసింగ్ అనేది ఒక ముఖ్యమైన దశ మరియు కడ్డీని సబ్‌స్ట్రేట్‌గా మార్చడంలో కీలక దశ. ప్రస్తుతం, కోతసిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలాలుప్రధానంగా వైర్ కటింగ్. మల్టీ-వైర్ స్లర్రీ కట్టింగ్ ప్రస్తుతం ఉత్తమమైన వైర్ కట్టింగ్ పద్ధతి, అయితే పేలవమైన కట్టింగ్ నాణ్యత మరియు పెద్ద కోత నష్టం సమస్యలు ఇప్పటికీ ఉన్నాయి. వైర్ కట్టింగ్ యొక్క నష్టం ఉపరితల పరిమాణం పెరుగుదలతో పెరుగుతుంది, ఇది అనుకూలంగా ఉండదుసిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలంతయారీదారులు ఖర్చు తగ్గింపు మరియు సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరిచేందుకు. కోత ప్రక్రియలో8-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలాలు, వైర్ కటింగ్ ద్వారా పొందిన సబ్‌స్ట్రేట్ యొక్క ఉపరితల ఆకృతి పేలవంగా ఉంది మరియు WARP మరియు BOW వంటి సంఖ్యా లక్షణాలు మంచివి కావు.

సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్ తయారీలో స్లైసింగ్ ఒక కీలక దశ. డైమండ్ వైర్ కటింగ్ మరియు లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ వంటి కొత్త కట్టింగ్ పద్ధతులను పరిశ్రమ నిరంతరం ప్రయత్నిస్తోంది. లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీ ఇటీవల ఎక్కువగా కోరింది. ఈ సాంకేతికత యొక్క పరిచయం కట్టింగ్ నష్టాన్ని తగ్గిస్తుంది మరియు సాంకేతిక సూత్రం నుండి కట్టింగ్ సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది. లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ సొల్యూషన్ ఆటోమేషన్ స్థాయికి అధిక అవసరాలను కలిగి ఉంది మరియు దానితో సహకరించడానికి సన్నబడటానికి సాంకేతికత అవసరం, ఇది సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్ ప్రాసెసింగ్ యొక్క భవిష్యత్తు అభివృద్ధి దిశకు అనుగుణంగా ఉంటుంది. సాంప్రదాయ మోర్టార్ వైర్ కట్టింగ్ యొక్క స్లైస్ దిగుబడి సాధారణంగా 1.5-1.6. లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీ పరిచయం స్లైస్ దిగుబడిని దాదాపు 2.0కి పెంచుతుంది (డిస్కో పరికరాలను చూడండి). భవిష్యత్తులో, లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీ పరిపక్వత పెరిగేకొద్దీ, స్లైస్ దిగుబడి మరింత మెరుగుపడవచ్చు; అదే సమయంలో, లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ కూడా స్లైసింగ్ యొక్క సామర్థ్యాన్ని బాగా మెరుగుపరుస్తుంది. మార్కెట్ పరిశోధన ప్రకారం, పరిశ్రమ నాయకుడు DISCO దాదాపు 10-15 నిమిషాలలో ఒక స్లైస్‌ను కట్ చేస్తుంది, ఇది ఒక స్లైస్‌కు 60 నిమిషాల ప్రస్తుత మోర్టార్ వైర్ కటింగ్ కంటే చాలా సమర్థవంతంగా ఉంటుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ల సాంప్రదాయ వైర్ కట్టింగ్ ప్రక్రియ దశలు: వైర్ కటింగ్-రఫ్ గ్రైండింగ్-ఫైన్ గ్రైండింగ్-రఫ్ పాలిషింగ్ మరియు ఫైన్ పాలిషింగ్. లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ ప్రక్రియ వైర్ కట్టింగ్‌ను భర్తీ చేసిన తర్వాత, గ్రౌండింగ్ ప్రక్రియను భర్తీ చేయడానికి సన్నబడటం ప్రక్రియ ఉపయోగించబడుతుంది, ఇది ముక్కల నష్టాన్ని తగ్గిస్తుంది మరియు ప్రాసెసింగ్ సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది. సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లను కత్తిరించడం, గ్రౌండింగ్ చేయడం మరియు పాలిష్ చేయడం వంటి లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ ప్రక్రియ మూడు దశలుగా విభజించబడింది: లేజర్ ఉపరితల స్కానింగ్-సబ్‌స్ట్రేట్ స్ట్రిప్పింగ్-ఇంగోట్ చదును చేయడం: లేజర్ ఉపరితల స్కానింగ్ అంటే కడ్డీ ఉపరితలాన్ని ప్రాసెస్ చేయడానికి అల్ట్రాఫాస్ట్ లేజర్ పల్స్‌లను ఉపయోగించడం. కడ్డీ లోపల పొర; సబ్‌స్ట్రేట్ స్ట్రిప్పింగ్ అనేది భౌతిక పద్ధతుల ద్వారా కడ్డీ నుండి సవరించిన పొర పైన ఉన్న సబ్‌స్ట్రేట్‌ను వేరు చేయడం; కడ్డీ చదును అనేది కడ్డీ ఉపరితలం యొక్క ఫ్లాట్‌నెస్‌ను నిర్ధారించడానికి కడ్డీ ఉపరితలంపై సవరించిన పొరను తొలగించడం.
సిలికాన్ కార్బైడ్ లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ ప్రక్రియ

 
2. లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీ మరియు పరిశ్రమలో పాల్గొనే కంపెనీలలో అంతర్జాతీయ పురోగతి

లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ ప్రక్రియను మొదట విదేశీ కంపెనీలు అవలంబించాయి: 2016లో, జపాన్ యొక్క డిస్కో కొత్త లేజర్ స్లైసింగ్ టెక్నాలజీ KABRA ను అభివృద్ధి చేసింది, ఇది ఒక సెపరేషన్ లేయర్‌ను ఏర్పరుస్తుంది మరియు లేజర్‌తో కడ్డీని నిరంతరం రేడియేట్ చేయడం ద్వారా పొరలను నిర్దేశిత లోతులో వేరు చేస్తుంది, వీటిని వివిధ రకాల కోసం ఉపయోగించవచ్చు. SiC కడ్డీల రకాలు. నవంబర్ 2018లో, ఇన్ఫినియన్ టెక్నాలజీస్ 124 మిలియన్ యూరోలకు సిల్టెక్ట్రా GmbH అనే వేఫర్ కట్టింగ్ స్టార్టప్‌ను కొనుగోలు చేసింది. రెండోది కోల్డ్ స్ప్లిట్ ప్రక్రియను అభివృద్ధి చేసింది, ఇది విభజన పరిధిని నిర్వచించడానికి పేటెంట్ లేజర్ టెక్నాలజీని ఉపయోగిస్తుంది, ప్రత్యేక పాలిమర్ మెటీరియల్స్, కంట్రోల్ సిస్టమ్ కూలింగ్ ప్రేరిత ఒత్తిడి, ఖచ్చితంగా విభజించబడిన మెటీరియల్‌లు మరియు పొర కటింగ్ సాధించడానికి గ్రైండ్ చేసి శుభ్రపరచడం.

ఇటీవలి సంవత్సరాలలో, కొన్ని దేశీయ కంపెనీలు లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ పరికరాల పరిశ్రమలోకి కూడా ప్రవేశించాయి: హాన్స్ లేజర్, డెలాంగ్ లేజర్, వెస్ట్ లేక్ ఇన్‌స్ట్రుమెంట్, యూనివర్సల్ ఇంటెలిజెన్స్, చైనా ఎలక్ట్రానిక్స్ టెక్నాలజీ గ్రూప్ కార్పొరేషన్ మరియు ఇన్‌స్టిట్యూట్ ఆఫ్ సెమీకండక్టర్స్ ఆఫ్ ది చైనీస్ అకాడమీ ఆఫ్ సైన్సెస్. వాటిలో, లిస్టెడ్ కంపెనీలు హన్ యొక్క లేజర్ మరియు డెలాంగ్ లేజర్ చాలా కాలం నుండి లేఅవుట్‌లో ఉన్నాయి మరియు వారి ఉత్పత్తులు కస్టమర్లచే ధృవీకరించబడుతున్నాయి, అయితే కంపెనీకి అనేక ఉత్పత్తి లైన్లు ఉన్నాయి మరియు లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ పరికరాలు వారి వ్యాపారాలలో ఒకటి మాత్రమే. వెస్ట్ లేక్ ఇన్‌స్ట్రుమెంట్ వంటి రైజింగ్ స్టార్‌ల ఉత్పత్తులు అధికారిక ఆర్డర్ షిప్‌మెంట్‌లను సాధించాయి; యూనివర్సల్ ఇంటెలిజెన్స్, చైనా ఎలక్ట్రానిక్స్ టెక్నాలజీ గ్రూప్ కార్పొరేషన్ 2, చైనీస్ అకాడమీ ఆఫ్ సైన్సెస్ యొక్క ఇన్స్టిట్యూట్ ఆఫ్ సెమీకండక్టర్స్ మరియు ఇతర కంపెనీలు కూడా పరికరాల పురోగతిని విడుదల చేశాయి.

3. లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీ అభివృద్ధి మరియు మార్కెట్ పరిచయం యొక్క లయ కోసం డ్రైవింగ్ కారకాలు

6-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ల ధర తగ్గింపు లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీని అభివృద్ధి చేస్తుంది: ప్రస్తుతం, 6-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ల ధర 4,000 యువాన్/పీస్ కంటే తక్కువగా పడిపోయింది, ఇది కొంతమంది తయారీదారుల ధరకు చేరువైంది. లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ ప్రక్రియ అధిక దిగుబడి రేటు మరియు బలమైన లాభదాయకతను కలిగి ఉంది, ఇది లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీ యొక్క చొచ్చుకుపోయే రేటును పెంచుతుంది.

8-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ల సన్నబడటం లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీ అభివృద్ధికి దారి తీస్తుంది: 8-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ల మందం ప్రస్తుతం 500um మరియు 350um మందంతో అభివృద్ధి చెందుతోంది. 8-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ ప్రాసెసింగ్‌లో వైర్ కట్టింగ్ ప్రక్రియ ప్రభావవంతంగా ఉండదు (సబ్‌స్ట్రేట్ ఉపరితలం మంచిది కాదు), మరియు BOW మరియు WARP విలువలు గణనీయంగా క్షీణించాయి. లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ అనేది 350um సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్ ప్రాసెసింగ్ కోసం అవసరమైన ప్రాసెసింగ్ టెక్నాలజీగా పరిగణించబడుతుంది, ఇది లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ టెక్నాలజీ యొక్క చొచ్చుకుపోయే రేటును పెంచుతుంది.

మార్కెట్ అంచనాలు: SiC సబ్‌స్ట్రేట్ లేజర్ స్ట్రిప్పింగ్ ఎక్విప్‌మెంట్ 8-అంగుళాల SiC విస్తరణ మరియు 6-అంగుళాల SiC ధర తగ్గింపు నుండి ప్రయోజనాలను పొందుతుంది. ప్రస్తుత పరిశ్రమ కీలక దశకు చేరుకుంటుంది మరియు పరిశ్రమ అభివృద్ధి చాలా వేగవంతం అవుతుంది.