IC సింగిల్-క్రిస్టల్ సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ

సంక్షిప్త వివరణ:

మూల ప్రదేశం:చైనా

క్రిస్టల్ నిర్మాణం:FCCβ దశ

సాంద్రత:3.21 గ్రా / సెం.మీ;

కాఠిన్యం:2500 వికర్స్;

ధాన్యం పరిమాణం:2~10μm;

రసాయన స్వచ్ఛత:99.99995%;

ఉష్ణ సామర్థ్యం:640J·kg-1·K-1;

సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత:2700℃;

ఫెలెక్చురల్ బలం:415 Mpa (RT 4-పాయింట్);

యంగ్స్ మాడ్యులస్:430 Gpa (4pt బెండ్, 1300℃);

థర్మల్ విస్తరణ (CTE):4.5 10-6K-1;

ఉష్ణ వాహకత:300 (W/MK);

మాకు ఇమెయిల్ పంపండి PDFగా డౌన్‌లోడ్ చేయండి

ఉత్పత్తి వివరాలు

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

ఉత్పత్తి వివరణ

మా కంపెనీ గ్రాఫైట్, సెరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై CVD పద్ధతి ద్వారా SiC పూత ప్రక్రియ సేవలను అందిస్తుంది, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక స్వచ్ఛత SiC అణువులను పొందేందుకు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద ప్రతిస్పందిస్తాయి, పూత పదార్థాల ఉపరితలంపై జమ చేసిన అణువులు, SIC రక్షణ పొరను ఏర్పరుస్తుంది.

ప్రధాన లక్షణాలు:

1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:

ఉష్ణోగ్రత 1600 C కంటే ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంది.

2. అధిక స్వచ్ఛత : అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ స్థితిలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.

3. ఎరోషన్ నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, చక్కటి కణాలు.

4. తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.

CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు

SiC-CVD లక్షణాలు
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	FCC β దశ
సాంద్రత	g/cm ³	3.21
కాఠిన్యం	వికర్స్ కాఠిన్యం	2500
ధాన్యం పరిమాణం	μm	2~10
రసాయన స్వచ్ఛత	%	99.99995
ఉష్ణ సామర్థ్యం	J·kg-1 ·K-1	640
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత	℃	2700
Felexural బలం	MPa (RT 4-పాయింట్)	415
యంగ్స్ మాడ్యులస్	Gpa (4pt బెండ్, 1300℃)	430
థర్మల్ విస్తరణ (CTE)	10-6K-1	4.5
ఉష్ణ వాహకత	(W/mK)	300